本文關(guān)鍵詞： QLED 電子傳輸層 空穴傳輸層 合金量子點(diǎn)　出處：《電子科技大學(xué)》2015年碩士論文　論文類型：學(xué)位論文

【摘要】：量子點(diǎn)在生物技術(shù)、太陽能電池和發(fā)光二極管等方面的應(yīng)用引起了廣泛關(guān)注。基于膠體量子點(diǎn)的發(fā)光二極管(quantum dot light-emitting diodes,QLED)具有啟亮電壓低、發(fā)光單色性好、低能耗、發(fā)光顏色可通過量子點(diǎn)尺寸調(diào)節(jié)和低成本的溶液法制備等優(yōu)點(diǎn),在顯示領(lǐng)域和固態(tài)照明領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用潛力。但仍需要提高QLED的亮度和器件的壽命才能達(dá)到商業(yè)化應(yīng)用。目前,提高器件性能的主要途徑包括設(shè)計(jì)新的器件結(jié)構(gòu)、發(fā)展新的量子點(diǎn)和傳輸材料以優(yōu)化載流子的注入。本文主要從載流子傳輸層和量子點(diǎn)層對(duì)QLED性能的影響兩方面出發(fā)進(jìn)行系統(tǒng)研究,主要內(nèi)容如下:1.無機(jī)載流子傳輸層能避免有機(jī)載流子傳輸層在空氣中的氧化和分解。采用溶液旋涂法成功制備出全無機(jī)載流子傳輸層的QLED。結(jié)合對(duì)載流子傳輸層的表征和對(duì)QLED光電特性測(cè)試,分析了全無機(jī)載流子傳輸層QLED發(fā)光效率低的原因。溶液法制備全無機(jī)載流子傳輸層QLED為低成本制備全無機(jī)QLED提供了方向。2.采用傳統(tǒng)混合傳輸層的器件結(jié)構(gòu),分別研究了不同電子傳輸層和空穴傳輸層對(duì)QLED性能的影響。對(duì)于電子傳輸層,比較了ZnO和TiOx分別作為電子傳輸層對(duì)器件性能的影響。結(jié)果表明ZnO器件比Ti Ox器件電流密度更小,同時(shí)ZnO器件比TiOx器件具有更高的亮度和更低的啟亮電壓。對(duì)于空穴傳輸層,比較了聚四苯基聯(lián)苯胺(Poly-TPD)與聚乙烯咔唑(PVK)分別作為空穴傳輸層對(duì)QLED性能的影響,并分別向其中摻入小分子有機(jī)物四苯基聯(lián)苯胺(TPD)對(duì)載流子遷移率和能帶進(jìn)行調(diào)節(jié)。結(jié)果表明Poly-TPD器件比PVK器件性能更優(yōu),然而摻入小分子TPD后器件性能降低。結(jié)合載流子傳輸層自身的材料特性,對(duì)QLED光電特性測(cè)試結(jié)果進(jìn)行分析。3.合金量子點(diǎn)與核殼量子點(diǎn)相比,有利于載流子的注入和激子的限制。我們采用一步法合成了CdSeZnS成分梯度合金量子點(diǎn),并對(duì)量子點(diǎn)進(jìn)行表征。表征結(jié)果顯示合成的CdSeZnS合金量子點(diǎn)顆粒尺寸分布均勻,光致發(fā)光譜的發(fā)射峰為481nm。將合成的CdSeZnS合金量子點(diǎn)作為QLED的發(fā)光層制備出完整的器件,并測(cè)試了QLED的光電特性。
[Abstract]:Quantum dots in biotechnology. The applications of solar cells and light emitting diodes (LEDs) have attracted wide attention. Light emitting Diodes based on Colloidal Quantum Dots (. Quantum dot light-emitting diodes. QLED) has the advantages of low starting voltage, good monochromatic luminescence, low energy consumption, and can be prepared by quantum dot size adjustment and low cost solution method. There are great potential applications in the field of display and solid-state lighting. However, it is still necessary to improve the brightness of QLED and the lifetime of devices in order to achieve commercial applications. The main way to improve the performance of the device is to design a new device structure. New quantum dots and transport materials are developed to optimize carrier injection. In this paper, the effects of carrier transport layer and quantum dot layer on the performance of QLED are studied systematically. The main contents are as follows:. 1. Inorganic carrier transport layer can avoid oxidation and decomposition of organic carrier transport layer in air. QLED of all inorganic carrier transport layer has been successfully prepared by solution spin coating. Sign and test the photoelectric characteristics of QLED. The reason for the low luminescence efficiency of all-inorganic carrier transport layer (QLED) was analyzed. The preparation of all-inorganic carrier transport layer (QLED) by solution method provided the direction for low-cost preparation of all-inorganic QLED. 2. Traditional mixing was adopted. The device structure of the transport layer. The effects of different electron transport layer and hole transport layer on the performance of QLED are studied respectively. The effects of ZnO and TiOx as electron transport layer on the performance of the devices are compared. The results show that the current density of ZnO devices is smaller than that of TiOx devices. At the same time, ZnO devices have higher brightness and lower turn-on voltage than TiOx devices. The effects of poly (tetraphenylbenzidine) Poly-TPD) and polyvinylcarbazole (PVK) as hole transport layers on the properties of QLED were compared. The carrier mobility and band were adjusted by incorporation of small molecular organics, tetraphenylbenzidine (TPD). The results show that the performance of Poly-TPD devices is better than that of PVK devices. However, the performance of the device decreases after doping with small molecule TPD. Combining with the material characteristics of carrier transport layer, the photoelectric properties of QLED are analyzed. 3. The alloy quantum dots are compared with the core-shell quantum dots. In favor of carrier injection and exciton limitation, we have synthesized CdSeZnS gradient alloy quantum dots by one-step method. The results show that the particle size distribution of the synthesized CdSeZnS alloy quantum dots is uniform. The emission peak of photoluminescence spectrum is 481nm. The synthesized CdSeZnS alloy quantum dots are used as the luminescent layer of QLED. The photoelectric properties of QLED are tested.
【學(xué)位授予單位】：電子科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：TN312.8

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