本文關(guān)鍵詞： 細(xì)胞非線性網(wǎng)絡(luò)(CNN) 憶阻器 反映擴(kuò)散 圖靈斑圖 元胞耦合　出處：《微納電子技術(shù)》2017年05期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：采用有源憶阻器構(gòu)建了三階憶阻振蕩電路單元。將該憶阻振蕩電路單元作為構(gòu)建憶阻非線性網(wǎng)絡(luò)的元胞,通過(guò)與周圍鄰近元胞的耦合,實(shí)現(xiàn)了具有反應(yīng)擴(kuò)散特性的非線性憶阻電路網(wǎng)絡(luò)。通過(guò)MATLAB實(shí)驗(yàn)仿真觀察到了該網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)生的圖靈斑圖。進(jìn)一步研究了憶阻元胞參數(shù)(α,β)和擴(kuò)散系數(shù)(D_(11),D_(12),D_(21),D_(22))對(duì)圖靈斑圖形成的影響。通過(guò)對(duì)不同參數(shù)的仿真,發(fā)現(xiàn)憶阻元胞參數(shù)影響斑圖中斑點(diǎn)密度,而擴(kuò)散系數(shù)影響斑圖的形狀。研究結(jié)果可為憶阻器實(shí)現(xiàn)在圖像處理和模式識(shí)別方面的應(yīng)用提供重要的理論依據(jù)。
[Abstract]:The third order mnemonic circuit unit is constructed by using active memory device. The circuit unit is used as the cell to construct the nonlinear network of amnesia by coupling with the adjacent cells. The nonlinear memory circuit network with reaction-diffusion characteristics is realized. The Turing pattern generated by the network is observed by MATLAB simulation. The parameters of the memory cell (偽) are further studied. The influence of D / D / D / D / D / D / D / D / D / D / D / D / D / D / D / D / D / D / D / D / D / D / D / D / D / D / D / D / D on the formation of Turing pattern. It is found that the memory cell parameters affect the spot density and the diffusion coefficient affects the pattern shape. The results provide an important theoretical basis for the application of the device in image processing and pattern recognition.
【作者單位】： 空軍工程大學(xué)理學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金青年科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61401498) 陜西省自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(2014JQ8343)
【分類號(hào)】：TN60
【正文快照】： 0引言斑圖是空間或時(shí)間上具有某種規(guī)律的非均勻宏觀結(jié)構(gòu),在自然界中普遍存在,構(gòu)成了絢麗斑斕的世界,例如斑馬身上的條紋、熱帶魚(yú)的斑點(diǎn)等。斑圖動(dòng)力學(xué)是非線性理論系統(tǒng)的一個(gè)重要分支,在生物、化學(xué)和其他科學(xué)領(lǐng)域都有了很大的發(fā)展[1]。A.M.Turing[2](圖靈)用一個(gè)反映擴(kuò)散模型

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