本文關(guān)鍵詞： 功率器件 氮化鎵 增強(qiáng)型 集成技術(shù)　出處：《電力電子技術(shù)》2017年08期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：針對(duì)氮化鎵(GaN)功率器件的研制,采用柵區(qū)域勢(shì)壘層減薄技術(shù)及p-GaN柵結(jié)構(gòu),分別研制了閾值電壓2 V以上、擊穿電壓1 200 V以上的凹槽柵結(jié)構(gòu)和閾值電壓1.1 V、擊穿電壓350 V以上、輸出電流10 A以上的p-GaN柵結(jié)構(gòu)增強(qiáng)型GaN功率器件。同時(shí)基于柵區(qū)域勢(shì)壘層減薄技術(shù),開(kāi)發(fā)了GaN增強(qiáng)型/耗盡型(E/D)集成技術(shù),并展示了采用E/D集成技術(shù)研制的51級(jí)GaN環(huán)形振蕩器驗(yàn)證電路,集成了106只晶體管,級(jí)延時(shí)僅24.3 ps。
[Abstract]:In view of the development of gan power devices, the threshold voltage above 2 V was developed by using the barrier layer thinning technique in the gate region and the p-GaN gate structure. The groove gate structure with breakdown voltage above 1200 V and the threshold voltage 1.1 V, and the breakdown voltage above 350 V. The p-GaN gate structure enhanced GaN power device with output current above 10 A. based on the barrier layer thinning technology in the gate region, the GaN enhanced / depleted type E / D integration technology is developed. The verification circuit of 51-stage GaN ring oscillator developed by E / D integration technology is demonstrated. The circuit integrates 106 transistors and the stage delay is only 24.3 ps.
【作者單位】： 南京電子器件研究所寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(61474101) 國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(863)(2015AA033305)~~
【分類號(hào)】：TN303
【正文快照】： l引言傳統(tǒng)電子設(shè)備中功率開(kāi)關(guān)器件主要采用橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等Si功率器件。受材料特性自身制約,Si功率器件性能已無(wú)法獲得進(jìn)一步提升,也無(wú)法完全滿足綠色能源新技術(shù)發(fā)展需要。GaN功率開(kāi)關(guān)器件具有低的導(dǎo)通電阻和更高的工作頻率,能滿

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本文編號(hào)：1461098