本文關鍵詞：非對稱超結場效應晶體管設計和仿真　出處：《微電子學與計算機》2017年07期 　論文類型：期刊論文

  更多相關文章： SJ-MOSFET 非對稱 漂移區(qū) 橫向電場

【摘要】：為了克服傳統(tǒng)功率MOSFET通態(tài)電阻和擊穿電壓之間的矛盾,引入了超級結(SJ)器件,通過引入橫向電場來提高擊穿電壓.針對工藝中非對稱pillar的設計需求,建立了非對稱的研究分析模型,通過引入影響設計的非對稱因子k,分析了k的物理意義和修正了不同pillar比例下的k值來設計相關參數,推導出超結的設計解析表達式.為了驗證設計的準確性,以溝槽柵SJ-MOSFET為器件,進行了仿真驗證和比較,理論與仿真結果符合良好,可以用于超結MOSFET的設計指導.
[Abstract]:In order to overcome the contradiction between on-state resistance and breakdown voltage of traditional power MOSFET, the superjunction SJ device is introduced. In order to improve the breakdown voltage by introducing transverse electric field, an asymmetric research and analysis model was established to meet the design requirements of asymmetric pillar in the process, and an asymmetric factor k was introduced to influence the design. The physical meaning of k is analyzed and the K value of different pillar ratio is modified to design the relevant parameters. The analytical expression of the design of the superjunction is derived to verify the accuracy of the design. The simulation results of grooved gate SJ-MOSFET are verified and compared. The theoretical and simulation results are in good agreement with each other and can be used to guide the design of superjunction MOSFET.
【作者單位】： 中國科學院微電子研究所;江蘇物聯(lián)網研究發(fā)展中心;
【基金】：國家重大科技專項(2013ZX02305-005-002) 國家自然科學基金(51490681) 省院合作高技術產業(yè)化專項資金項目(2016SYHZ0026)
【分類號】：TN386
【正文快照】： 1引言功率場效應晶體管(Metal oxide semiconductorfield effect transistor-MOSFET)是功率半導體器件領域中最為重要的器件之一,傳統(tǒng)的功率MOSFET器件,尤其是垂直雙擴散場效應晶體管(Verticaldouble diffusion metal oxide semiconductor-VD-MOS)器件,一般是通過增加外延層厚

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4 張，

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