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硅氧碳納米鑲嵌復合薄膜的氧空位形成與散熱基板封裝

發(fā)布時間:2018-01-14 04:24

  本文關(guān)鍵詞:硅氧碳納米鑲嵌復合薄膜的氧空位形成與散熱基板封裝 出處:《功能材料》2017年06期  論文類型:期刊論文


  更多相關(guān)文章: 硅氧碳復合薄膜 氧空位 基板 結(jié)溫


【摘要】:自支撐硅氧碳納米鑲嵌復合薄膜具有細小等軸β-SiC納米晶彌散分布在非晶態(tài)相SiO_xC_y和游離碳基體的復合結(jié)構(gòu)。利用電子順磁共振譜(EPR)儀對900~1 200℃終燒薄膜復合結(jié)構(gòu)中的氧空位形成進行分析;采用絲網(wǎng)印刷法在薄膜表面獲得兩條平行高溫銀漿電路層,并以其為散熱基板進行LED器件板上芯片封裝(COB)。通過掃描電鏡(SEM)與光學顯微鏡對薄膜微觀形貌及封裝結(jié)構(gòu)進行觀察,并通過LED熱光參數(shù)測試儀對其結(jié)溫進行探究。結(jié)果表明,終燒溫度升高,薄膜氧空位濃度增大,g因子接近自由電子值2.0023。高溫銀漿導電層均勻致密保證良好電導效果。1 200℃終燒薄膜作為散熱基板具有較好熱傳導與絕緣特性,其封裝LED結(jié)溫約為33.7℃,低于120℃限制,有望規(guī)模應(yīng)用于大功率LED器件領(lǐng)域。
[Abstract]:Self supporting silicon oxygen and carbon nano composite films with fine equiaxed beta -SiC nanocrystals dispersed in the composite structure of the amorphous phase SiO_xC_y and free carbon matrix. By using electron paramagnetic resonance (EPR) instrument on the 200 c 900~1 end to burn oxygen vacancies in the complex structure formation; using screen printing method two parallel high temperature Silver paste circuit layer on the surface of the films, and chip LED devices on board package with its substrate (COB). By scanning electron microscopy (SEM) and optical microscopy on film morphology and encapsulation structure were observed, and through the junction temperature of LED thermo parameter tester. The results show that the inquiry finally, burning temperature, film oxygen vacancy concentration increases, the g factor is close to the free electron value of 2.0023. high temperature Silver conductive layer is uniform and compact to ensure good conductivity effect of 200 c.1 final sintering film as substrate has better heat transfer The guide and insulation characteristics, the encapsulation of LED junction of about 33.7 DEG C below 120 DEG C, is expected to scale used in the field of high power LED devices.

【作者單位】: 廈門大學材料學院;福建省特種先進材料重點實驗室(廈門大學);廈門大學深圳研究院;
【基金】:國家自然科學基金資助項目(51302237) 福建省高校產(chǎn)學合作資助項目(2016H6021) 深圳市知識創(chuàng)新計劃資助項目(JCYJ20130329150151156) 廈門大學大學生創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)訓練計劃資助項目(201610384178)
【分類號】:TB383.2;TN312.8
【正文快照】: 點,但也需制作電絕緣層而導致熱界面。因此,開發(fā)具0 引 言有復合結(jié)構(gòu)的高導熱高絕緣單層散熱材料成為研究熱LED作為第四代光源,具有體積小、亮度高、壽命點。長、低能耗、無污染、安全電壓低及響應(yīng)時間短等優(yōu)良針對散熱和熱失配問題,實驗室先前工作采用先特性,已得到廣泛應(yīng)

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2 司e,

本文編號:1422029


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