本文關(guān)鍵詞：GaAs半導(dǎo)體表面的S-N混合等離子體鈍化及在激光器工藝上的應(yīng)用　出處：《光電子·激光》2017年02期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：利用射頻(RF)等離子方法,對GaAs半導(dǎo)體表面進行了S-N混合等離子體鈍化實驗,并對工作壓強、RF功率進行了優(yōu)化。光致發(fā)光(PL)測試結(jié)果表明,經(jīng)過S-N混合等離子體鈍化的GaAs樣品PL強度提高135%。將本文鈍化方法應(yīng)用到980nm波長InGaAs應(yīng)變量子阱(QW)激光器的制備工藝,器件的COD閾值功率明顯增加。
[Abstract]:S-N mixed plasma passivation experiments were carried out on the surface of GaAs semiconductors by radio frequency RF plasma method, and the working pressure was tested. The RF power is optimized. The photoluminescence (PL) test results show that. The PL intensity of GaAs samples passivated by S-N mixed plasma has been increased by 135.The passivation method has been applied to the QW of InGaAs strained quantum wells at 980nm. The preparation technology of laser. The COD threshold power of the device is obviously increased.
【作者單位】： 長春理工大學(xué)高功率半導(dǎo)體激光國家重點實驗室;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(61176048,61177019,61308051) 吉林省科技發(fā)展計劃(20150203007GX,20130206016GX) 中物院高能激光重點實驗室基金(2014HEL01)資助項目
【分類號】：TN248.4
【正文快照】： 1引言通常,GaAs基半導(dǎo)體激光器腔面承受的最大功率受腔面表面態(tài)影響極大,腔面鈍化已經(jīng)成為GaAs基半導(dǎo)體激光器實現(xiàn)高功率可靠工作的主要技術(shù)措施。半導(dǎo)體激光器腔面鈍化的代表性方法有S鈍化、N鈍化和H鈍化等[1~11]。其中濕法S鈍化方法較為成熟,鈍化效果好,但形成的硫鈍化層穩(wěn)

【相似文獻】

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1 林華傳,陳松巖,謝可,張芹,黃傳敬;一種激光誘導(dǎo)灼蝕制備納米硅的新方法[J];光電子·激光;2005年06期

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本文編號：1422001