寬帶高增益輸出平衡CMOS低噪聲放大器的設計
本文關鍵詞:寬帶高增益輸出平衡CMOS低噪聲放大器的設計 出處:《半導體技術》2017年10期 論文類型:期刊論文
更多相關文章: 寬帶低噪聲放大器 射頻 噪聲消除 輸出平衡 無線接收機
【摘要】:設計了一種帶片內(nèi)變壓器、適用于0.05~2.5 GHz頻段的寬帶低噪聲放大器(LNA)。電路設計采用了并行的共柵共源放大結構,將從天線接收到的單端輸入信號轉換為一對差分信號輸出給后級鏈路。針對變壓器結構的LNA噪聲系數(shù)不夠低和輸出不平衡的問題,采用了縮放技術、噪聲消除技術以及兩級的全差分放大器作為輸出緩沖級,來有效降低電路的噪聲系數(shù),提高增益和輸出平衡度。電路采用TSMC 0.18μm 1P6M RF CMOS工藝設計仿真和流片,測試結果表明:在0.05~2.5 GHz頻帶范圍內(nèi),該LNA的最高功率增益達24.5 d B,全頻段內(nèi)噪聲系數(shù)為2.6~4 d B,輸入反射系數(shù)小于-10 d B,輸出差分信號幅度和相位差分別低于0.6 d B和1.8°。
[Abstract]:In this paper, a kind of in-chip transformer is designed, which is suitable for the broadband low-noise amplifier (LNA) in the frequency range of 0.05 ~ 2.5 GHz. The circuit is designed with a parallel common-gate common-source amplifier structure. The single-terminal input signal received from the antenna is converted into a pair of differential signals output to the post-stage link. Aiming at the problems of low LNA noise coefficient and unbalanced output in transformer structure, the scaling technique is adopted. Noise cancellation technology and two-stage fully differential amplifier are used as output buffer stage to effectively reduce the noise coefficient of the circuit. The circuit adopts TSMC 0.18 渭 m 1P6M RF CMOS process to design simulation and flow sheet. The test results show that the maximum power gain of the LNA is 24.5 dB in the range of 0.05 ~ 2.5 GHz, and the noise coefficient is 2.6 ~ 4 dB in the whole frequency band. The input reflection coefficient is less than -10 dB, and the output differential signal amplitude and phase difference are less than 0.6 dB and 1.8 擄, respectively.
【作者單位】: 華中科技大學光學與電子信息學院;
【基金】:國家自然科學基金資助項目(61376031)
【分類號】:TN722.3
【正文快照】: 0引言近些年來,集成無線通信芯片被廣泛應用于導航定位、物聯(lián)網(wǎng)、移動終端、智能家居等多個行業(yè),衍生出多樣的通信協(xié)議。為了順應市場的需求,當前無線通信領域最熱門的研究之一就是設計一款兼容多協(xié)議的收發(fā)器芯片,以滿足用戶日益增長的需要。低噪聲放大器(low noise amplifie
【相似文獻】
相關期刊論文 前10條
1 彭龍新,蔣幼泉,林金庭,魏同立;全單片高增益低噪聲放大器[J];固體電子學研究與進展;2001年04期
2 ;高頻低噪聲放大器[J];國外電子元器件;2001年01期
3 安毅,呂昕,高本慶;振幅比較單脈沖系統(tǒng)中前端低噪聲放大器的選擇[J];雷達與對抗;2001年01期
4 曹克,楊華中,汪蕙;低電壓低功耗CMOS射頻低噪聲放大器的研究進展[J];微電子學;2003年04期
5 一凡;全波段毫米波低噪聲放大器[J];微電子技術;2003年03期
6 張廣,鄭武團,田海林;低噪聲放大器的網(wǎng)絡設計法[J];現(xiàn)代電子技術;2004年01期
7 ;安捷倫科技推出具關斷功能的超低噪聲放大器模塊[J];電子與電腦;2005年11期
8 張紅南;黃雅攸;蔣超;顏永紅;;高增益低功耗CMOS低噪聲放大器的設計[J];微計算機信息;2008年29期
9 劉峻;盧劍;李新;郭宇;蘇建華;梁潔;;一種低噪聲放大器的白噪聲分析[J];中國集成電路;2009年08期
10 周偉中;;低噪聲放大器的仿真設計[J];科技資訊;2010年14期
相關會議論文 前10條
1 張乾本;;45°K超低噪聲放大器[A];1993年全國微波會議論文集(下冊)[C];1993年
2 高飛;張曉平;郜龍馬;朱美紅;曹必松;高葆新;;低溫低噪聲放大器特性研究[A];2003'全國微波毫米波會議論文集[C];2003年
3 鄭磊;胡皓全;田立卿;;低噪聲放大器的設計[A];2005'全國微波毫米波會議論文集(第三冊)[C];2006年
4 郭偉;鮑景富;;低噪聲放大器穩(wěn)定性分析與設計方法[A];2005'全國微波毫米波會議論文集(第二冊)[C];2006年
5 賀菁;董宇亮;徐軍;李桂萍;;5mm寬帶低噪聲放大器的研制[A];2007年全國微波毫米波會議論文集(上冊)[C];2007年
6 劉暢;梁曉新;閻躍鵬;;射頻寬帶低噪聲放大器設計[A];2009安捷倫科技節(jié)論文集[C];2009年
7 王云峰;李磊;梁遠軍;朱文龍;;雙平衡支路低噪聲放大器的設計與測試[A];2009安捷倫科技節(jié)論文集[C];2009年
8 劉寶宏;陳東坡;毛軍發(fā);;一種采用正體偏置和增益增強技術的低電壓低功耗低噪聲放大器[A];2009年全國微波毫米波會議論文集(下冊)[C];2009年
9 張利飛;汪海勇;;低噪聲放大器的仿真設計[A];2009年全國微波毫米波會議論文集(下冊)[C];2009年
10 王漢華;胡先進;;衛(wèi)星電視低噪聲放大器的設計[A];1997年全國微波會議論文集(上冊)[C];1997年
相關重要報紙文章 前1條
1 四川 張達 編譯;增益從1到1000倍可變的高精度低噪聲放大器[N];電子報;2004年
相關博士學位論文 前10條
1 井凱;SiGe HBT低噪聲放大器的研究[D];西安電子科技大學;2016年
2 曹克;低電壓低功耗CMOS射頻低噪聲放大器設計[D];清華大學;2005年
3 劉寶宏;CMOS工藝的低電壓低噪聲放大器研究[D];上海交通大學;2011年
4 黃煜梅;CMOS藍牙收發(fā)器中低噪聲放大器的設計及高頻噪聲研究[D];復旦大學;2004年
5 許永生;CMOS射頻器件建模及低噪聲放大器的設計研究[D];華東師范大學;2006年
6 李琨;低噪聲放大器動態(tài)范圍擴展的理論和方法研究[D];天津大學;2010年
7 王軍;低噪聲放大器模塊化分析與設計的等效噪聲模型法的研究[D];電子科技大學;1999年
8 黃東;面向多帶多標準接收機的寬帶CMOS低噪聲放大器研究[D];中國科學技術大學;2015年
9 彭洋洋;微波/毫米波單片集成收發(fā)機中關鍵電路的設計及其小型化[D];浙江大學;2012年
10 李芹;無生產(chǎn)線模式微波單片集成電路設計與實驗研究[D];東南大學;2005年
相關碩士學位論文 前10條
1 張全;宇航用低噪聲放大器研制及其可靠性研究[D];西安電子科技大學;2012年
2 馮永革;低噪聲放大器的研究與設計[D];南京理工大學;2015年
3 易凱;CMOS毫米波低噪聲放大器設計[D];電子科技大學;2014年
4 賴宏南;超寬帶大動態(tài)自動電平控制系統(tǒng)研究[D];電子科技大學;2014年
5 李佩;微波單片專用集成電路設計[D];電子科技大學;2009年
6 王軻;微波寬帶低噪聲放大器研究[D];電子科技大學;2015年
7 李凱;平衡式低噪聲放大器設計[D];電子科技大學;2015年
8 趙艷陽;X波段限幅低噪聲放大器設計與實現(xiàn)[D];電子科技大學;2014年
9 李辛琦;1.2GHz CMOS低噪聲放大器的仿真設計與實現(xiàn)[D];電子科技大學;2015年
10 孫海昕;基于CMOS工藝的射頻低噪聲放大器的設計[D];黑龍江大學;2015年
,本文編號:1420893
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/1420893.html