本文關鍵詞：降溫速率對升級冶金硅定向凝固生長多晶硅少子壽命的影響　出處：《人工晶體學報》2017年01期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：對經過前期提純的冶金級硅料進行一次性定向凝固生長多晶硅鑄錠,研究了長晶階段降溫速率對多晶硅少子壽命的影響。結果顯示降溫速率越低,獲得多晶硅少子壽命越高,但降溫速率低到一定程度時,少子壽命反而會降低。通過測試生長多晶硅硅錠曲率半徑、晶體結構等數據,分析了該現象的產生原因。這將有助于升級冶金硅一次性定向凝固生長多晶硅鑄錠的生產應用。
[Abstract]:Polycrystalline silicon ingot was grown by unidirectional solidification of metallurgical grade silicon after early stage purification. The effect of cooling rate of long crystal stage on minority carrier lifetime of polycrystalline silicon was studied. The results showed that the lower the cooling rate was. The higher the minority carrier lifetime of polysilicon is, but the lower the cooling rate is, the lower the minority carrier lifetime will be. The curvature radius and crystal structure of polycrystalline silicon ingot are measured. The causes of this phenomenon are analyzed, which will be helpful to upgrade the production and application of polycrystalline silicon ingot grown by one time directional solidification of metallurgical silicon.
【作者單位】： 南昌大學機電工程學院;華東交通大學;新余學院新能源科學與工程學院;江西省高等學校硅材料重點實驗室;
【基金】：國家自然科學基金(51164033,51664047,51561022,61306084) 江西省自然科學基金(20132BAB206021) 江西省高等學�？萍悸涞赜媱�(KJLD12050) 江西省教育廳科學技術研究項目(GJJ151220;11739;12748;161199;161200)
【分類號】：TM914.4;TN304.12
【正文快照】： Influence of Cooling Rate on the Minority Carrier Lifetime ofMulticrystalline Silicon Grown with Metallurgical GradeSilicon Feedback by Directional SolidificationLIU Zhi-hui1,LUO Yu-feng1,2,GONG Hong-yong3,4,RAO Sen-lin3,4,ZHANG Fa-yun3,4,HU Yun3,4(1.Sch

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本文編號：1420947