本文關(guān)鍵詞：硅烷熱解多晶硅氣相沉積反應(yīng)模型分析與驗(yàn)證　出處：《人工晶體學(xué)報(bào)》2017年02期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：在綜述現(xiàn)有硅烷熱解反應(yīng)機(jī)理的基礎(chǔ)上,針對Ho等人提出的氣相和表面反應(yīng)機(jī)理,采用二維邊界層反應(yīng)模型和CHEMKIN軟件,對水平單基片CVD反應(yīng)器進(jìn)行模擬分析,計(jì)算結(jié)果與文獻(xiàn)報(bào)道的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)擬合良好;通過改變硅烷進(jìn)氣濃度和進(jìn)氣溫度,分析沉積速率的變化和各表面反應(yīng)的貢獻(xiàn)率,得到硅微粉再沉積過程隨濃度和溫度的變化規(guī)律;使用上述機(jī)理模型,計(jì)算了硅烷流化床對應(yīng)的操作溫度和硅烷濃度條件下的沉積速率,與文獻(xiàn)報(bào)道測量結(jié)果比較,誤差在合理范圍,表明該機(jī)理適用于硅烷流化床化學(xué)氣相沉積過程的CFD耦合模擬。
[Abstract]:Based on summarizing the existing silane pyrolysis reaction mechanism, the gas phase and surface reaction mechanism proposed by Ho et al, the two-dimensional boundary layer reaction model and CHEMKIN software, simulation analysis of the level of single substrate CVD reactor, the calculation results with the experimental data reported in the literature to good; by changing the inlet temperature and inlet concentration of silane analysis, the variation of the deposition rate and the surface reaction and the rate of contribution by silicon powder deposition process changes with temperature and concentration; the mechanism model, the deposition rate corresponding to the operating temperature of the fluidized bed silane and silane concentration conditions were calculated and compared with the measurement results reported in the literature, the error is in a proper range, that the simulation of CFD coupling mechanism for silane fluidized bed chemical vapor deposition process.

【作者單位】： 華東理工大學(xué)資源與環(huán)境工程學(xué)院煤氣化及能源化工教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(21275085)
【分類號】：TN304.12
【正文快照】： 1引言高純多晶硅是光伏電池生產(chǎn)的重要原材料。生產(chǎn)太陽能級多晶硅的方法主要有2種,即以三氯氫硅為原料的改良西門子法和以硅烷為原料的流化床法。其中,改良西門子法雖然比較成熟,但是投資高、能耗大、污染大,在激烈的國際競爭中或?qū)适袌鰞?yōu)勢。相比之下,硅烷流化床法有以

【參考文獻(xiàn)】

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