本文關(guān)鍵詞：一種高效的鍺單晶拋光片清洗液　出處：《半導(dǎo)體技術(shù)》2016年02期 　論文類(lèi)型：期刊論文

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【摘要】：以鍺(Ge)單晶片為襯底制備的太陽(yáng)電池,具有較好的光電轉(zhuǎn)換效率,因而使Ge材料再次受到廣泛關(guān)注。Ge單晶片表面的均勻性對(duì)外延結(jié)果有著較大影響,基于改善Ge單晶片表面均勻性的目的,引入一種H2O2,HF和去離子水的混合液作為Ge片的清洗液,以霧值、表面粗糙度和表面顆粒度作為Ge單晶片表面均勻性的評(píng)價(jià)指標(biāo)。通過(guò)Ge單晶片清洗實(shí)驗(yàn),確定清洗液配比、清洗時(shí)間的較優(yōu)組合。在優(yōu)化后的清洗條件下,Ge單晶拋光片的霧值為2.33×10-8,表面粗糙度為0.16 nm,Ge單晶片的表面質(zhì)量滿(mǎn)足電池制作的要求。該清洗液清洗效果好,操作簡(jiǎn)便,是Ge單晶拋光片的一種較理想清洗液。
[Abstract]:......
【作者單位】： 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所;
【分類(lèi)號(hào)】：TN305.2
【正文快照】： 0引言隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,以Ge單晶材料為襯底制備的多結(jié)太陽(yáng)電池受到廣泛關(guān)注,從而使Ge單晶材料在地面光伏發(fā)電系統(tǒng)、航天器供電電源中呈現(xiàn)出井噴式應(yīng)用,成為該領(lǐng)域主流太陽(yáng)電池襯底材料[1-4]。在電池制備過(guò)程中,需要采用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)或分子束外延(MBE)技術(shù)

【參考文獻(xiàn)】

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1 成松;劉曉暉;成佰新;毛占春;楊帆;;高倍聚光光伏的系統(tǒng)構(gòu)成概述[J];太陽(yáng)能;2010年07期

【共引文獻(xiàn)】

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3 趙會(huì)富;基于非成像原理的菲涅耳光伏聚光系統(tǒng)的研究[D];中國(guó)科學(xué)院研究生院（長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所）;2012年

4 周澤廣;溫差發(fā)電器的傳熱特性及機(jī)理研究[D];華南理工大學(xué);2013年

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1 莊立強(qiáng);碟式太陽(yáng)能聚光器二次反射性能研究[D];浙江大學(xué);2010年

2 唐紹堯;基于太陽(yáng)能光伏/熱技術(shù)的建筑遮陽(yáng)策略研究[D];湖南大學(xué);2012年

3 周江坤;聚光太陽(yáng)能嵌入式跟蹤控制系統(tǒng)的研究[D];武漢理工大學(xué);2013年

4 陳志明;菲涅爾透鏡聚光性能研究[D];中國(guó)計(jì)量學(xué)院;2013年

【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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1 翁政軍;楊洪海;;應(yīng)用于聚光型太陽(yáng)能電池的幾種冷卻技術(shù)[J];能源技術(shù);2008年01期

2 田瑋;王一平;韓立君;劉永輝;張金利;;聚光光伏系統(tǒng)的技術(shù)進(jìn)展[J];太陽(yáng)能學(xué)報(bào);2005年04期

3 王亦楠;;八面玲瓏展威風(fēng)——一種新的采用數(shù)倍聚光的光伏發(fā)電系統(tǒng)對(duì)成本降低的影響[J];太陽(yáng)能;2006年01期

4 陳諾夫;白一鳴;;聚光光伏系統(tǒng)[J];物理;2007年11期

【相似文獻(xiàn)】

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1 戚紅英;王云彪;;鍺拋光片干燥技術(shù)研究[J];電子工藝技術(shù);2012年02期

2 張安康;硅拋光片的監(jiān)控[J];電子器件;1981年03期

3 劉尊愚;;固著磨料拋光片及拋光模的制作[J];儀器制造;1986年04期

4 王云彪;楊洪星;陳亞楠;張偉才;;硅單晶拋光片邊緣亮線研究[J];電子工藝技術(shù);2014年05期

5 趙權(quán);;半導(dǎo)體單晶拋光片清洗工藝分析[J];半導(dǎo)體技術(shù);2007年12期

6 宋晶;楊洪星;張偉才;武永超;;硅拋光片表面質(zhì)量測(cè)試技術(shù)綜述[J];電子工業(yè)專(zhuān)用設(shè)備;2010年07期

7 楊洪星;陳亞楠;;夾具形狀對(duì)硅拋光片表面質(zhì)量的影響[J];電子工藝技術(shù);2013年02期

8 劉浦鋒;;超大規(guī)模集成電路用硅片產(chǎn)業(yè)化[J];世界科學(xué);2013年06期

9 劉云霞;史訓(xùn)達(dá);李俊峰;林霖;趙晶;劉卓;;硅拋光片表面時(shí)間依賴(lài)性霧產(chǎn)生的原因分析[J];微納電子技術(shù);2013年12期

10 湯錫松;二氧化硅拋光片表面質(zhì)量分析中的一點(diǎn)體會(huì)[J];半導(dǎo)體技術(shù);1980年06期

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1 李科技;由佰玲;武衛(wèi);孫晨光;李翔;;單拋機(jī)雙面硅拋光片有蠟貼片工藝研究[A];第二十五屆中國(guó)（天津）2011’IT、網(wǎng)絡(luò)、信息技術(shù)、電子、儀器儀表創(chuàng)新學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2011年

2 史舸;鄧德翼;王文衛(wèi);舒鈞;郭體強(qiáng);李科技;;硅拋光片幾何參數(shù)控制的工藝研究[A];2004年中國(guó)材料研討會(huì)論文摘要集[C];2004年

3 史舸;鄧德翼;王文衛(wèi);舒鈞;郭體強(qiáng);李科技;;硅拋光片幾何參數(shù)控制的工藝研究[A];2004年材料科學(xué)與工程新進(jìn)展[C];2004年

4 周旗鋼;;直徑12英寸硅單晶拋光片的研制[A];集成電路配套材料研討會(huì)及參展資料匯編[C];2004年

5 王國(guó)瑞;吳曉明;張宇;時(shí)金俠;李翔;;應(yīng)用全自動(dòng)VPD-ICPMS設(shè)備測(cè)試8英寸硅拋光片表面金屬離子含量[A];第二十五屆中國(guó)（天津）2011’IT、網(wǎng)絡(luò)、信息技術(shù)、電子、儀器儀表創(chuàng)新學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2011年

6 張晉英;王國(guó)瑞;劉振福;;硅片表面金屬離子ICP-MS的前處理方法及測(cè)試[A];天津市電視技術(shù)研究會(huì)2013年年會(huì)論文集[C];2013年

7 ;行業(yè)信息[A];2004年儀表材料論壇論文集[C];2004年

相關(guān)重要報(bào)紙文章 前10條

1 梁紅兵;200毫米硅單晶拋光片項(xiàng)目通過(guò)驗(yàn)收[N];中國(guó)電子報(bào);2003年

2 袁曉陽(yáng);我實(shí)現(xiàn)8英寸硅單晶拋光片規(guī)模生產(chǎn)[N];科技日?qǐng)?bào);2003年

3 記者　董山峰;直徑八英寸硅單晶拋光片示范工程通過(guò)驗(yàn)收[N];光明日?qǐng)?bào);2004年

4 記者 梁紅兵;國(guó)家產(chǎn)業(yè)化硅片示范工程建成[N];中國(guó)電子報(bào);2001年

5 馮紹健;我國(guó)首條8英寸硅單晶拋光片生產(chǎn)線驗(yàn)收[N];中國(guó)有色金屬報(bào);2003年

6 ;上海合晶 薄型及超重?fù)焦鑶尉伖馄瑢⑹墙衲曛攸c(diǎn)[N];中國(guó)電子報(bào);2008年

7 本報(bào)記者　 趙志偉;“兩步走”做大“洛陽(yáng)硅”[N];洛陽(yáng)日?qǐng)?bào);2006年

8 石英 常青;第一條集成電路用硅片生產(chǎn)線建成投產(chǎn)[N];北京日?qǐng)?bào);2001年

9 記者 梁紅兵;我半導(dǎo)體材料研究及產(chǎn)業(yè)化獲新突破[N];中國(guó)電子報(bào);2001年

10 李少林;有研硅股 技術(shù)創(chuàng)新提升盈利能力[N];中國(guó)證券報(bào);2007年

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1 趙權(quán);鍺拋光片拋光清洗技術(shù)研究[D];天津大學(xué);2009年

2 陳勇臻;SiC單晶拋光片的制備與表征[D];西安理工大學(xué);2008年

3 紀(jì)秀峰;LED用砷化鎵拋光片表面狀態(tài)研究[D];天津大學(xué);2009年

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本文編號(hào)：1353964