本文關(guān)鍵詞：高性能短波紅外InGaAs焦平面探測(cè)器研究進(jìn)展　出處：《紅外技術(shù)》2016年08期 　論文類型：期刊論文

  更多相關(guān)文章： InGaAs 焦平面 短波紅外 暗電流 探測(cè)率

【摘要】：中科院上海技物所近十年來開展了高性能短波紅外InGaAs焦平面探測(cè)器的研究。0.9~1.7mm近紅外In Ga As焦平面探測(cè)器已實(shí)現(xiàn)了256×1、512×1、1024×1等多種線列規(guī)格,以及320×256、640×512、4000×128等面陣,室溫暗電流密度5 n A/cm~2,室溫峰值探測(cè)率優(yōu)于5×10~(12)cm×Hz~(1/2)/W。同時(shí),開展了向可見波段拓展的320×256焦平面探測(cè)器研究,光譜范圍0.5~1.7mm,在0.8mm的量子效率約20%,在1.0mm的量子效率約45%。針對(duì)高光譜應(yīng)用需求,上海技物所開展了1.0~2.5mm短波紅外InGaAs探測(cè)器研究,暗電流密度小于10 n A/cm~2@200 K,形成了512×256、1024×128等多規(guī)格探測(cè)器,峰值量子效率高于75%,峰值探測(cè)率優(yōu)于5×10~(11)cm×Hz~(1/2)/W。
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所傳感技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國(guó)科學(xué)院紅外成像材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃(2012CB619200) 國(guó)家自然科學(xué)基金(61376052,61475179)
【分類號(hào)】：TN215
【正文快照】： 0引言短波紅外探測(cè)在航天遙感、微光夜視、軍事偵察、空間天文等領(lǐng)域有重要需求[1-2]。In1-xGaxAs是2016年8月Infrared Technology August 2016III-V族直接帶隙半導(dǎo)體材料,具有體系穩(wěn)定、器件制備工藝過程與Si工藝兼容、材料與器件的抗輻照性能好的特點(diǎn)[3]。當(dāng)In組分為0.53時(shí),

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