本文關(guān)鍵詞：Ⅱ-Ⅵ族三元合金薄膜生長(zhǎng)與摻雜工藝研究現(xiàn)狀　出處：《半導(dǎo)體光電》2016年05期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：相對(duì)于Ⅱ-Ⅵ族二元化合物,三元合金在調(diào)節(jié)帶隙寬度和晶格常數(shù)上的靈活性使其應(yīng)用前景更加廣闊,并有希望解決Ⅱ-Ⅵ族材料普遍存在的單極性摻雜難題而成為未來新型光電器件發(fā)展的一個(gè)重要方向。文章著重介紹了分子束外延(MBE)技術(shù)生長(zhǎng)ZnSeTe、CdZnTe、CdSeTe等Ⅱ-Ⅵ族三元合金單晶薄膜的研究現(xiàn)狀,分析了MBE生長(zhǎng)三元合金時(shí)需要考慮的問題,介紹了Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體材料n/p型摻雜的常用元素和摻雜方式,討論了限制Ⅱ-Ⅵ族材料有效摻雜的物理機(jī)制和三元合金在摻雜方面的研究動(dòng)態(tài),并對(duì)三元合金薄膜的發(fā)展前景進(jìn)行了展望。
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體材料科學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(61376058)
【分類號(hào)】：TN304.2
【正文快照】： 0引言Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體材料主要是指由ⅡB族與ⅥA族元素組成的二元及多元化合物,常見的有ZnO、ZnSe、CdS、CdTe、CdZnTe和HgCdTe等。它們晶體內(nèi)的化學(xué)鍵比之于Ⅲ-Ⅴ族材料更偏向離子性,通常具有立方閃鋅礦結(jié)構(gòu)和六方纖鋅礦結(jié)構(gòu),禁帶寬度從-0.3eV(HgTe)至3.9eV(ZnS)的直接帶隙,通

【相似文獻(xiàn)】

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1 范廣涵,胡光;MO-CVD法和Ⅱ-Ⅵ族材料的制備[J];發(fā)光與顯示;1983年04期

2 ;[J];;年期

，

本文編號(hào)：1331832