本文關鍵詞：大功率肖特基SiC二極管熱特性研究

  更多相關文章： 溫度特性 大功率 肖特基SiC二極管 熱阻

【摘要】：基于小電流下肖特基結正向壓降的溫度特性,建立了溫升測量系統(tǒng)。利用該系統(tǒng)對肖特基SiC二極管的瞬態(tài)溫升進行了測量,結果顯示瞬態(tài)溫升曲線呈階梯狀變化。利用結構函數(shù)的方法對瞬態(tài)溫升曲線進行處理,分析了肖特基SiC二極管在熱流傳輸路徑上的熱阻構成。研究了三引腳封裝的肖特基SiC二極管在相同大功率的條件下,兩正極引腳單獨使用和并聯(lián)使用時的熱阻特性,結果顯示,在兩正極引腳并聯(lián)使用時,其熱阻比單獨作用時減少一半,這表明三引腳封裝的肖特基SiC二極管的兩個正極是并聯(lián)的,并共用一個負極和散熱片。
【作者單位】： 北京工業(yè)大學電子信息與控制工程學院;
【基金】：國家自然科學基金資助項目(61376077,61201046,61204081) 北京市自然科學基金資助項目(4132022,4122005) 廣東省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)資助項目(2012A080304003)
【分類號】：TN31
【正文快照】： 1引言大功率肖特基SiC二極管由第三代半導體材料SiC制造,具有高頻、低功耗、開關頻率高等優(yōu)點,在各種低壓高頻開關電源等領域得到廣泛應用[1]。由于肖特基二極管工作在大電流條件下,發(fā)熱顯著,會影響其可靠性。隨著大功率肖特基二極管應用的不斷深入,與降低熱阻、保持良好散熱

【相似文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 王昌平;二次諧波法半導體雜質濃度分布圖示儀[J];復旦學報(自然科學版);1976年02期

2 范永平;反應濺射法制備耐熔金屬氮化物/GaAs肖特基結[J];微電子學;1988年03期

3 程兆年,袁云芳,王渭源;高斯摻雜分布GaAs肖特基結的雪崩擊穿電壓[J];半導體學報;1982年06期

4 華慶恒,嚴如岳,李巖松,陳古川,張菀,劉詠梅,楊媛琪;直流磁控濺射TiN/GaAs肖特基結的電學特性研究[J];固體電子學研究與進展;1990年01期

5 張遴紹,夏永姚;化學沉積法制備Pt/n-GaAs肖特基結[J];半導體技術;1992年01期

6 李英,王玉花,王燕,田立林;大束流離子注入形成P-SiCoSi_2/Si肖特基結的電學特性[J];固體電子學研究與進展;2005年01期

7 黃建仁;王秩雄;陳繩乾;王挺;;肖特基二極管整流的計算與測量[J];強激光與粒子束;2007年11期

8 田敬民，，高勇;結勢壘控制肖特基整流管的優(yōu)化設計[J];微電子學;1994年04期

9 傅濟時,吳恩,秦國剛,朱美棟,郁元桓;藍寶石上硅膜(SOS)肖特基結注入電流檢測的電子自旋共振及Si/Al_2O_3界面缺陷[J];半導體學報;1993年11期

10 ;[J];;年期

中國碩士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 王雪;基于石墨烯/硅肖特基結的光電探測器的研制[D];浙江大學;2016年

本文編號：1262633