本文關(guān)鍵詞：旋涂-蒸鍍工藝制備紅光量子點(diǎn)器件

  更多相關(guān)文章： 量子點(diǎn)發(fā)光二極管 電致發(fā)光 旋涂 蒸鍍

【摘要】：針對(duì)不同制備工藝對(duì)薄膜的影響,采用旋涂-蒸鍍工藝相結(jié)合的方法,制備了以Cd Se/Zn S量子點(diǎn)作為發(fā)光層、poly-TPD作為空穴傳輸層,Alq3作為電子傳輸層的紅光量子點(diǎn)發(fā)光二極管。研究了量子點(diǎn)材料的發(fā)光特性、量子點(diǎn)器件電致發(fā)光機(jī)理,分析了旋涂、蒸鍍工藝的成膜特點(diǎn)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,器件具有色純度高、開啟電壓低、漏電流小等特點(diǎn)。
【作者單位】： 北京信息科技大學(xué)自動(dòng)化學(xué)院;北京交通大學(xué)電子信息工程學(xué)院;
【基金】：北京市自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(4122028) 北京市重點(diǎn)學(xué)科建設(shè)項(xiàng)目(PXM2014-014224-000018) 北京市研究生聯(lián)合培養(yǎng)基地建設(shè)項(xiàng)目(71C1411017)
【分類號(hào)】：TN312.8
【正文快照】： 0引言量子點(diǎn)發(fā)光二極管(Quantum Dot Light-EmittingDiode,QLED)具有自發(fā)光、色純度高、能耗低、圖像穩(wěn)定、視角范圍廣、色彩豐富等優(yōu)點(diǎn),被認(rèn)為是繼LCD和OLED之后的新一代顯示技術(shù),具有廣闊的應(yīng)用前景[1-3]。為提高器件效率,Dai等[4]通過(guò)在量子點(diǎn)發(fā)光層與電子傳輸層之間嵌入優(yōu)

【相似文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：1225275