本文關鍵詞：黑硅的無掩模反應離子刻蝕法制備及光學性能研究

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【摘要】：采用無掩模反應離子刻蝕法制備了黑硅。利用掃描電子顯微鏡及紫外-可見-近紅外分光光度計研究了黑硅的微結構和光學特性。結果表明,黑硅微結構高度為2.0~3.5μm,徑向尺寸90~400nm,間距200~610nm。在400~1 000nm光譜范圍內黑硅吸收率為94%,是單晶硅的1.5倍;在1 200~1 700nm光譜范圍吸收率為55%~60%,是B摻雜單晶硅的20倍。制備的黑硅的光學帶隙為0.600 6eV,吸收光譜明顯向紅外方向偏移。
【作者單位】： 重慶光電技術研究所;
【分類號】：TN305.7
【正文快照】： 0引言硅的禁帶寬度為1.12eV,能量小于禁帶寬度的光子無法將電子從價帶激發(fā)到導帶,導致硅基光電器件在紅外波段沒有響應。Mazur等利用飛秒激光與硅材料相互作用制備了黑硅[1],它對近紫外-近紅外波段的光(0.25~2.5μm)吸收率高,反射率低[2-3],可應用于低成本硅基近紅外光電探測

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