發(fā)布時(shí)間：2017-10-28 08:21

  本文關(guān)鍵詞：基于空間分光的納米級(jí)調(diào)焦調(diào)平測(cè)量技術(shù)

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【摘要】：隨著半導(dǎo)體制造步入1xnm技術(shù)節(jié)點(diǎn)時(shí)代,調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)的測(cè)量精度達(dá)到幾十納米。在納米尺度范圍內(nèi),集成電路(IC)工藝對(duì)調(diào)焦調(diào)平測(cè)量精度的影響很大。提出一種基于光學(xué)三角法和疊柵條紋法的調(diào)焦調(diào)平測(cè)量技術(shù),利用空間分光系統(tǒng)將兩組位相差為π的疊柵條紋同時(shí)成像到兩個(gè)探測(cè)器上,通過歸一化差分的方法計(jì)算硅片高度,可有效降低調(diào)焦調(diào)平測(cè)量技術(shù)對(duì)IC工藝的敏感度,尤其是IC工藝導(dǎo)致的光強(qiáng)變化的敏感性。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,該系統(tǒng)測(cè)量重復(fù)性精度為8nm(3σ),線性精度為18nm(3σ)。當(dāng)測(cè)量光強(qiáng)變化達(dá)90%時(shí),該測(cè)量技術(shù)引起的線性精度變化為15nm(3σ);當(dāng)光強(qiáng)變化為65%時(shí),線性精度變化小于1nm(3σ)。
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所;中國(guó)科學(xué)院微電子研究所微電子器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國(guó)科學(xué)院大學(xué);
【關(guān)鍵詞】： 測(cè)量 調(diào)焦調(diào)平 空間分光 硅片高度 集成電路工藝
【基金】：國(guó)家科技重大專項(xiàng)(2012ZX02701004)
【分類號(hào)】：TN305.7
【正文快照】： 1引言光刻技術(shù)是集成電路(IC)制造的核心技術(shù),隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展,光刻機(jī)的分辨力逐步提高。通0512002-1過縮短曝光波長(zhǎng)和增大投影物鏡的數(shù)值孔徑可顯著提高光刻分辨力,但同時(shí)導(dǎo)致可用焦深明顯下降[1]。為解決可用焦深變小而帶來的離焦問題,先進(jìn)光刻機(jī)采用調(diào)焦調(diào)平技術(shù)

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 ;光導(dǎo)纖維特性參數(shù)測(cè)量技術(shù)的進(jìn)展[J];激光;1978年Z1期

2 王浩,鄒積巖;薄膜厚度測(cè)量技術(shù)[J];微細(xì)加工技術(shù);1993年01期

3 ;《國(guó)外電子測(cè)量技術(shù)》征稿啟事[J];國(guó)外電子測(cè)量技術(shù);2011年05期

4 ;《國(guó)外電子測(cè)量技術(shù)》征稿啟事[J];國(guó)外電子測(cè)量技術(shù);2011年06期

5 ;簡(jiǎn)訊[J];西北電訊工程學(xué)院學(xué)報(bào);1987年01期

6 趙行九;;數(shù)字化電子儀器的原理簡(jiǎn)介[J];電子技術(shù);1966年01期

7 ;《國(guó)外電子測(cè)量技術(shù)》征稿啟事[J];國(guó)外電子測(cè)量技術(shù);2011年03期

8 Edward H. Nicollian,黃子倫;C-V測(cè)量技術(shù)的進(jìn)展[J];微電子學(xué);1990年04期

9 ;測(cè)量技術(shù)與設(shè)備[J];電子科技文摘;2000年06期

10 ;安捷倫將先進(jìn)的測(cè)量技術(shù)引入PXI和AXIe領(lǐng)域[J];電子測(cè)量技術(shù);2010年10期

中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條

1 楊傳賀;激光差頻掃描三維立體測(cè)量技術(shù)[D];中國(guó)海洋大學(xué);2012年

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本文編號(hào)：1107417