本文關(guān)鍵詞：基于數(shù)值模擬的太陽能直拉硅單晶熱場降耗研究

  更多相關(guān)文章： 數(shù)值模擬 直拉硅單晶 熱場 功耗

【摘要】：通過計算機數(shù)值模擬仿真技術(shù)分析了TDR-95A-ZJS型22英寸太陽能直拉硅單晶熱場結(jié)構(gòu)中影響能耗的主要因素�；谀M結(jié)果提出了通過改變部分熱場結(jié)構(gòu)及保溫氈布局等優(yōu)化措施可有效降低原有熱場功耗。實際生產(chǎn)實驗表明,優(yōu)化后的熱場在保證晶體生長原有質(zhì)量前提下較原有熱場節(jié)能29%。
【作者單位】： 上海大學;
【關(guān)鍵詞】： 數(shù)值模擬 直拉硅單晶 熱場 功耗
【基金】：上海高校特聘教授(東方學者)崗位支持計劃
【分類號】：TN304.12
【正文快照】： 自進入21世紀以來隨著半導(dǎo)體和光伏產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展,對單晶硅片的需求量日益增加。目前直拉法(Czochralski法)是生產(chǎn)單晶硅常用的方法之一,其顯著優(yōu)勢是可生產(chǎn)出高質(zhì)量、大直徑的半導(dǎo)體級或太陽能級單晶硅片,主要用來制作LSI、晶體管、傳感器等半導(dǎo)體器件及硅基高效太陽能電池[

【相似文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 劉廣榮;;浙江大學研制成功12英寸摻氮硅單晶[J];半導(dǎo)體信息;2004年03期

2 劉廣榮;;中國成功研制了3英寸碳化硅單晶[J];半導(dǎo)體信息;2007年04期

3 季國坤,黃懋容,劉年慶;氫氣氛浮區(qū)硅單晶中正電子湮滅參數(shù)的測量[J];核技術(shù);1982年06期

4 曾世銘;國外半導(dǎo)體硅單晶生產(chǎn)技術(shù)的現(xiàn)狀和動態(tài)[J];人工晶體;1982年Z1期

5 葛海熊;;φ76.2mm重摻砷硅單晶的研制[J];上海金屬.有色分冊;1987年06期

6 高國森;;日本硅單晶生產(chǎn)現(xiàn)狀[J];上海金屬.有色分冊;1988年01期

7 李立本,闕端麟;減壓充氮直拉硅單晶技術(shù)[J];物理;1991年05期

8 元英;;世界最長的高質(zhì)量硅單晶[J];上海金屬.有色分冊;1992年03期

9 楊德仁，姚鴻年，，闕端磷;微氮直拉硅單晶中的原生氧沉淀[J];浙江大學學報(自然科學版);1994年02期

10 ;硅單晶直徑進一步增大愈來愈困難[J];半導(dǎo)體雜志;1995年03期

中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 曾俞衡;馬向陽;楊德仁;宮龍飛;田達晰;;重摻磷直拉硅單晶中的原生氧沉淀[A];第15屆全國晶體生長與材料學術(shù)會議論文集[C];2009年

2 謝江帆;;無衰減硅單晶的研制[A];經(jīng)濟發(fā)展方式轉(zhuǎn)變與自主創(chuàng)新——第十二屆中國科學技術(shù)協(xié)會年會（第二卷）[C];2010年

3 曾徵丹;楊德仁;馬向陽;陳加和;闕端麟;;氧沉淀對直拉硅單晶硬度的影響[A];中國晶體學會第四屆全國會員代表大會暨學術(shù)會議學術(shù)論文摘要集[C];2008年

4 馬向陽;曾俞衡;奚光平;王彪;朱偉江;楊德仁;;重摻N型直拉硅單晶的氧沉淀[A];第15屆全國晶體生長與材料學術(shù)會議論文集[C];2009年

5 黃振飛;王文衛(wèi);王興田;楊曉忠;胡書強;;16英寸熱場125-150毫米重摻銻硅單晶產(chǎn)品質(zhì)量和收率改進[A];2004年中國材料研討會論文摘要集[C];2004年

6 關(guān)守平;韓鋼;石群;尤富強;;硅單晶錠加工測量方法及儀器開發(fā)[A];2008中國儀器儀表與測控技術(shù)進展大會論文集（Ⅰ）[C];2008年

7 楊德仁;;12英寸摻氮硅單晶的研制[A];集成電路配套材料研討會及參展資料匯編[C];2004年

8 蔣娜;;真空區(qū)熔技術(shù)制備探測器級硅單晶工藝研究[A];有色金屬工業(yè)科學發(fā)展——中國有色金屬學會第八屆學術(shù)年會論文集[C];2010年

9 任丙彥;羊建坤;李彥林;;硅單晶生長中結(jié)晶潛熱釋放速率與熔體結(jié)構(gòu)的關(guān)系[A];第14屆全國晶體生長與材料學術(shù)會議論文集[C];2006年

10 黃千駟;劉洪飛;閻萍;;區(qū)熔摻鎵硅單晶的制備[A];第三屆中國功能材料及其應(yīng)用學術(shù)會議論文集[C];1998年

中國重要報紙全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 記者 曹陽　通訊員 段同剛 高琴偉;晶龍二極管硅單晶穩(wěn)占全國市場1/4[N];中國化工報;2009年

2 ;硅單晶[N];中國電子報;2002年

3 記者　肖國強;浙大研制成功12英寸摻氮硅單晶[N];浙江日報;2003年

4 常州華盛天龍機械有限公司總工程師 李留臣邋常務(wù)副總經(jīng)理 馮鑓;國產(chǎn)太陽能硅單晶生長設(shè)備喜憂參半[N];中國電子報;2007年

5 記者 孫明河;我成功研制3英寸碳化硅單晶[N];科技日報;2007年

6 記者賈西平;我國研制成功十八英寸直拉硅單晶[N];人民日報;2002年

7 記者馮紹健;我國第一根18英寸直拉硅單晶問世[N];中國有色金屬報;2002年

8 梁紅兵;我研制成功18英寸直拉硅單晶[N];中國電子報;2002年

9 ;萬向硅峰：硅單晶制備技術(shù)升級[N];中國電子報;2011年

10 梁紅兵 王文韜;國內(nèi)最大區(qū)熔與重摻砷硅單晶基地在京建設(shè)[N];中國電子報;2001年

中國博士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前8條

1 曾徵丹;雜質(zhì)對直拉硅單晶力學性能的影響[D];浙江大學;2011年

2 張新鵬;雜質(zhì)對直拉硅單晶中原生缺陷以及熱處理誘生缺陷的影響[D];浙江大學;2013年

3 曾慶凱;直拉硅單晶中微缺陷演變的相場模擬研究[D];山東大學;2012年

4 李東升;集成電路用直拉單晶硅力學性能[D];浙江大學;2002年

5 余學功;大規(guī)模集成電路用直拉硅單晶的缺陷工程[D];浙江大學;2004年

6 徐進;直拉硅單晶中氧沉淀及其誘生缺陷的透射電鏡研究[D];浙江大學;2003年

7 崔燦;直拉硅單晶的氧沉淀及內(nèi)吸雜的研究[D];浙江大學;2006年

8 陳加和;大規(guī)模集成電路用同族元素摻雜直拉硅單晶的微缺陷及其缺陷工程[D];浙江大學;2008年

中國碩士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 徐吳兵;摻鍺直拉硅單晶中缺陷的研究[D];浙江大學;2011年

2 王鎮(zhèn)輝;重摻磷直拉硅單晶中缺陷的研究[D];浙江大學;2012年

3 康森;天通公司快速硅單晶生長工藝控制系統(tǒng)的設(shè)計與實現(xiàn)[D];電子科技大學;2014年

4 胡詩一;硅單晶熱膨脹性質(zhì)的分子動力學與晶格動力學模擬[D];湖南師范大學;2015年

5 王彥君;大直徑區(qū)熔硅單晶的研究與制備[D];河北工業(yè)大學;2015年

6 王淦;微氮直拉硅單晶的機械性能研究[D];浙江大學;2002年

7 趙一英;氮和鍺對直拉硅單晶機械性能的影響[D];浙江大學;2004年

8 李紅;摻鍺直拉硅單晶中微缺陷的研究[D];浙江大學;2004年

9 馮琰;直拉硅單晶中氧沉淀的熟化[D];浙江大學;2008年

10 奚光平;普通和摻氮的重摻砷直拉硅單晶的氧沉淀行為[D];浙江大學;2008年

本文編號：1068348