本文關(guān)鍵詞：量子點發(fā)光二極管中載流子注入機(jī)理的研究

  更多相關(guān)文章： 量子點(QDs) 隧穿注入 空間電荷限制電流(SCLC) 能級 電流密度

【摘要】：針對量子點(QDs)發(fā)光二極管(QLED)中載流子注入不平衡的問題,對載流子的注入機(jī)理進(jìn)行了研究。在隧穿注入和空間電荷限制電流(SCLC)模型的基礎(chǔ)上,仿真分析了空穴和電子在QDs層的注入情況,制備了QLED的樣品。CdSe/CdS作為QDs層,PEDOT:PSS作為空穴注入層(HIL),TPD作為空穴傳輸層(HTL),Alq3作為電子傳輸層(ETL)。優(yōu)選的QDs層厚為25nm時,確定了TPD和Alq3的理論最優(yōu)厚分別為48和22nm。研究發(fā)現(xiàn),當(dāng)驅(qū)動電壓低于6.5V時,隧穿注入電流在載流子的傳輸過程中起主導(dǎo)作用;高于6.5V時,SCLC在載流子的傳輸過程中起主導(dǎo)作用。實驗結(jié)果表明,當(dāng)Alq3厚為20nm時,器件發(fā)出QDs的紅光,隨著Alq3厚度的增加,器件開始出現(xiàn)綠光,實驗結(jié)果與仿真結(jié)果基本吻合。研究結(jié)果對QLED的制備具有理論借鑒意義。
【作者單位】： 北京交通大學(xué)電子信息工程學(xué)院;北京信息科技大學(xué)自動化學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 量子點(QDs) 隧穿注入 空間電荷限制電流(SCLC) 能級 電流密度
【基金】：國家“973”計劃(2015CB654605)資助項目
【分類號】：TN312.8
【正文快照】：

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