本文關(guān)鍵詞：襯底溫度對(duì)TiOPc光敏有機(jī)場效應(yīng)管的影響

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【摘要】：制備了基于酞菁氧鈦(TiOPc)的有機(jī)光敏場效應(yīng)管,對(duì)氧化銦錫(ITO)襯底器件進(jìn)行溫度優(yōu)化。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,隨著襯底溫度(T_(sub))的增加,器件載流子遷移率(μ)、光暗電流比(P)和光響應(yīng)度(R)先增加后減小,在T_(sub)=140℃時(shí)達(dá)到最大。T_(sub)=140℃的ITO襯底器件,在波長808 nm、光功率密度190 m W·cm~(-2)的近紅外光照下,最大載流子遷移率達(dá)到1.35×10~(-2)cm~2·V~(-1)·s~(-1),最大光暗電流比為250,柵壓為-50 V時(shí)的最大光響應(yīng)度為1.51 m A/W。
【作者單位】： 中國計(jì)量學(xué)院光學(xué)與電子科技學(xué)院;蘭州大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 有機(jī)光敏場效應(yīng)管 酞菁氧鈦 襯底溫度
【基金】：教育部博士點(diǎn)基金(20110211110005) 浙江省大學(xué)生科研創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)(2015R409042)資助項(xiàng)目
【分類號(hào)】：TN386
【正文快照】： 1引言有機(jī)場效應(yīng)管(Organic field-effect transistors,OFETs)在柔性電子領(lǐng)域引起了眾多關(guān)注,例如主動(dòng)矩陣顯示[1]、生物醫(yī)學(xué)[2]、無線射頻識(shí)別標(biāo)簽[3]和傳感器[4]等。在各種OFETs中,光敏有機(jī)場效應(yīng)管(Photoresponsive organic field-effect tran-sistors,Ph OFETs)被認(rèn)為是光

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 王宗畔,熊紹珍,孫仲林;無定形硅的N型摻雜與P型摻雜[J];半導(dǎo)體光電;1982年02期

2 宋勝利,左敦穩(wěn),徐鋒,王珉;大面積熱絲化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)襯底溫度自回歸模糊神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)控制技術(shù)[J];機(jī)械工程學(xué)報(bào);2005年07期

3 劉翠青;陳城釗;邱勝樺;吳燕丹;李平;余楚迎;;襯底溫度對(duì)低溫制備納米晶硅薄膜的影響[J];功能材料;2008年11期

4 馬紫微;;襯底溫度對(duì)SiCN膜生長的影響[J];運(yùn)城學(xué)院學(xué)報(bào);2005年05期

5 郭茂田;田臻鋒;陳興科;;襯底溫度對(duì)ZnO薄膜特性的影響[J];應(yīng)用激光;2006年01期

6 范紅兵;張曉丹;趙穎;孫建;魏長春;谷士彬;張存善;;p型ZnO的制備以及襯底溫度對(duì)薄膜特性的影響[J];人工晶體學(xué)報(bào);2006年04期

7 邵士運(yùn);陳俊芳;趙益冉;馮軍勤;高鵬;;襯底溫度對(duì)氮化鋅薄膜特性的影響[J];華南師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2012年04期

8 賈相華;黃海亮;付斯年;朱瑞華;左桂鴻;曹洪忠;李月英;;不同襯底溫度對(duì)ZnO薄膜結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的影響[J];哈爾濱理工大學(xué)學(xué)報(bào);2014年01期

9 郭余英;史偉民;魏光普;夏義本;;襯底溫度對(duì)SnS薄膜性能的影響[J];人工晶體學(xué)報(bào);2008年03期

10 Doo V.Y.;王毅;李添臣;;集成電路用耐熔介質(zhì)的研究[J];微電子學(xué);1974年02期

中國重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫 前2條

1 殷景華;蔡偉;李美成;鄭玉峰;王中;王培林;趙連城;;沉積襯底溫度對(duì)PtSi/Si異質(zhì)薄膜生長及表面形貌的影響[A];2000年材料科學(xué)與工程新進(jìn)展（下）——2000年中國材料研討會(huì)論文集[C];2000年

2 桑敏;劉發(fā)民;王天民;;襯底溫度對(duì)磁控濺射TiO_2薄膜的結(jié)構(gòu)和光催化特性的影響[A];2004年中國材料研討會(huì)論文摘要集[C];2004年

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前4條

1 劉譚譚;Sb_2Te_3薄膜制備及中波紅外器件探索[D];華東師范大學(xué);2015年

2 李長山;襯底溫度和濺射壓強(qiáng)及緩沖層對(duì)AZO薄膜的影響[D];吉首大學(xué);2013年

3 何建廷;脈沖激光沉積法生長硅基ZnO及特性研究[D];山東師范大學(xué);2006年

4 王進(jìn);適合體聲波器件的多層膜的制備與性能研究[D];天津理工大學(xué);2012年

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本文編號(hào)：1013853