本文關(guān)鍵詞：氧化物包覆多孔半導體結(jié)構(gòu)制備及其光電特性研究

  更多相關(guān)文章： 納米復合結(jié)構(gòu) 光催化 TiO_2 光響應 ZnO

【摘要】：本文利用在多孔半導體材料表面包覆氧化物制備出納米復合材料,并對其光電特性及應用進行了研究,主要工作如下:1.采用銀輔助化學刻蝕技術(shù)制備出具有良好表面形貌的多孔狀硅納米線陣列,然后通過原子層沉積(ALD)技術(shù)在硅納米線陣列表面包覆TiO_2材料,形成Si/TiO_2納米線陣列復合材料,并利用退火處理提高TiO_2包覆材料的晶體質(zhì)量。其結(jié)果表明退火處理未影響復合材料中Si的晶體質(zhì)量,而使TiO_2由非晶態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑B(tài)。當500℃退火條件下銳鈦礦相TiO_2的晶體質(zhì)量最高。在光照條件下,Si/TiO_2納米復合材料對甲基橙溶液的光分解率最高可達88%(6h)。2.通過電化學刻蝕技術(shù)制備出具有多孔結(jié)構(gòu)的In P材料,并進行了硫鈍化處理以提高多孔結(jié)構(gòu)的發(fā)光性質(zhì)。采用ALD和水熱法相結(jié)合的方法在In P多孔材料表面制備出具有枝狀結(jié)構(gòu)的ZnO材料,形成InP/ZnO納米復合材料。并對這種復合材料進行了表征和光電性質(zhì)測試,結(jié)果表明該種材料實現(xiàn)了350-1000nm的光譜響應范圍。
【關(guān)鍵詞】：納米復合結(jié)構(gòu) 光催化 TiO_2 光響應 ZnO
【學位授予單位】：長春理工大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2016
【分類號】：TN304.2
【目錄】：

• 摘要4-5
• ABSTRACT5-8
• 第一章 緒論8-19
• 1.1 納米材料技術(shù)8-9
• 1.2 納米復合材料9-10
• 1.3 納米復合材料的光電特性應用10-18
• 1.3.1 納米復合材料在光催化中的應用11-14
• 1.3.2 納米復合材料在光電探測器件中的應用14-18
• 1.4 本文選題依據(jù)與研究內(nèi)容18-19
• 第二章 材料表征手段19-25
• 2.1 掃描電子顯微鏡技術(shù)19-20
• 2.2 X射線衍射譜測量技術(shù)20-21
• 2.3 光致發(fā)光譜測量技術(shù)21-24
• 2.4 本章小結(jié)24-25
• 第三章 Si/TiO_2納米復合光電材料的制備及表征25-34
• 3.1 Si/TiO_2納米復合材料的制備26-29
• 3.1.1 銀輔助化學刻蝕制備Si納米線26-29
• 3.1.2 Si/TiO_2納米復合材料的制備29
• 3.2 退火處理對Si/TiO_2納米復合結(jié)構(gòu)表征與分析29-31
• 3.3 Si/TiO_2納米復合材料的光催化性能研究31-33
• 3.3.1 光催化降解甲基橙溶液實驗31-32
• 3.3.2 光催化降解甲基橙溶液效率的研究32-33
• 3.4 本章小結(jié)33-34
• 第四章 InP/ZnO納米復合結(jié)構(gòu)制備及光電特性研究34-46
• 4.1 多孔InP材料的制備與表征34-38
• 4.1.1 電化學刻蝕制備多孔InP材料34-35
• 4.1.2 調(diào)節(jié)刻蝕條件對InP多孔材料的影響35-37
• 4.1.3 多孔結(jié)構(gòu)的形成機理37-38
• 4.2 硫鈍化InP多孔材料及其發(fā)光性質(zhì)研究38-41
• 4.2.1 InP多孔材料的硫鈍化處理38
• 4.2.2 InP材料鈍化的反應機理38-39
• 4.2.3 硫鈍化對InP多孔材料發(fā)光性質(zhì)影響39-41
• 4.3 InP/ZnO納米復合材料的制備與表征41-43
• 4.3.1 InP/ZnO納米復合材料的制備41
• 4.3.2 InP/ZnO納米復合材料的表征41-43
• 4.4 InP/ZnO納米復合材料的光電性質(zhì)分析43-45
• 4.4.1 InP/ZnO納米復合材料的發(fā)光性質(zhì)分析43
• 4.4.2 InP/ZnO納米復合材料的光電性質(zhì)分析43-45
• 4.5 本章小結(jié)45-46
• 結(jié)論與展望46-48
• 結(jié)論46
• 研究展望46-48
• 致謝48-49
• 參考文獻49-52
• 碩士期間的論文成果52

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本文編號：1013939