本文關(guān)鍵詞：一種表面等離子體增強(qiáng)的ZnSe納米帶藍(lán)光探測(cè)器的制備及其光電特性研究

  更多相關(guān)文章： 表面等離子體 ZnSe納米帶 肖特基結(jié) 藍(lán)光探測(cè)器

【摘要】：表面等離子體共振特性是指存在于金屬納米顆粒表面的可以自由振動(dòng)的電子,與入射光子在一定的振動(dòng)頻率條件下,發(fā)生的一種特殊的共振現(xiàn)象。硒化鋅(ZnSe)是一種重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體材料,它在室溫下的直接禁帶寬度約為2.67 eV,對(duì)波長(zhǎng)為460 nm的藍(lán)光有很強(qiáng)的吸收能力。本論文主要研究?jī)?nèi)容是采用氣相沉積法制備ZnSe納米帶及石墨烯薄膜,制備銦納米顆粒修飾的石墨烯/ZnSe納米帶藍(lán)光探測(cè)器,并對(duì)其光電特性進(jìn)行了分析。利用模板法制備六角形排布的銦納米顆粒陣列,結(jié)合各種表征手段確定銦納米顆粒具有均勻的排布,一致的直徑大小,通過紫外吸收?qǐng)D譜分析得知其對(duì)藍(lán)光具有較強(qiáng)的吸收峰。通過氣相沉積法合成ZnSe納米帶,通過掃描電鏡等表征確定其為尺寸均勻,表面平滑的納米帶。通過光刻、電子束等工藝制備基于石墨烯/ZnSe納米帶的肖特基結(jié)藍(lán)光探測(cè)器,通過分析修飾銦納米顆粒前后器件光電特性變化,發(fā)現(xiàn)器件的光響應(yīng)度(R)從修飾前的26.5 A/W增加到了6.47×102 A/W,增益(G)從修飾前的71.6增加到了1.75×103。因此得出結(jié)論,通過在器件上功能性的修飾銦納米顆粒,利用其獨(dú)特的等離子體共振特性一定程度的提高了器件對(duì)藍(lán)光的吸收,進(jìn)而提升了器件的整體性能。
【關(guān)鍵詞】：表面等離子體 ZnSe納米帶 肖特基結(jié) 藍(lán)光探測(cè)器
【學(xué)位授予單位】：合肥工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號(hào)】：TN15;TB383.1
【目錄】：

• 致謝7-8
• 摘要8-9
• ABSTRACT9-15
• 第一章 緒言15-30
• 1.1 光電子技術(shù)15-19
• 1.2 光電探測(cè)器簡(jiǎn)介19-21
• 1.2.1 光電探測(cè)器的種類及工作原理19-20
• 1.2.2 光電探測(cè)器的應(yīng)用20-21
• 1.3 金屬納米顆粒的合成及其表面等離子體共振特性21-25
• 1.3.1 金屬納米顆粒的合成方法21-22
• 1.3.2 金屬納米顆粒表面等離子體共振特性22-25
• 1.4 金屬納米顆粒表面等離子體共振特性的應(yīng)用25-28
• 1.4.1 金屬納米顆粒表面等離子體共振特性在光電子器件方面的應(yīng)用25-26
• 1.4.2 金屬納米顆粒表面等離子體共振特性在納米傳感器方面的應(yīng)用26-28
• 1.4.3 金屬納米顆粒表面等離子體共振特性在表面增強(qiáng)拉曼散射方面的應(yīng)用28
• 1.5 本課題的研究背景及選題意義28-30
• 第二章 銦納米顆粒陣列與ZnSe納米帶的合成與表征30-38
• 2.1 實(shí)驗(yàn)所用藥品及設(shè)備30-31
• 2.2 六角銦納米顆粒陣列的合成方法31-33
• 2.3 ZnSe納米帶的合成方法33-34
• 2.4 六角銦納米顆粒陣列和ZnSe納米帶的結(jié)構(gòu)特性表征34-36
• 2.5 本章小結(jié)36-38
• 第三章 石墨烯/ZnSe納米帶肖特基結(jié)藍(lán)光探測(cè)器的制備及其光電特性分析38-43
• 3.1 引言38-39
• 3.2 基于石墨烯/ZnSe納米帶肖特基結(jié)光電探測(cè)器的制備39
• 3.3 基于石墨烯/ZnSe納米帶肖特基結(jié)光電探測(cè)器的光電性能表征39-41
• 3.4 基于石墨烯/ZnSe納米帶肖特基結(jié)光電探測(cè)器的光電特性分析41
• 3.5 本章小結(jié)41-43
• 第四章 銦納米顆粒陣列修飾的石墨烯/ZnSe納米帶肖特基結(jié)器件的制備及其應(yīng)用43-52
• 4.1 引言43-44
• 4.2 模板法制備銦納米顆粒陣列修飾的石墨烯薄膜44-45
• 4.3 銦納米顆粒陣列修飾石墨烯的表征45-47
• 4.4 基于修飾銦納米顆粒陣列的石墨烯/ZnSe納米帶光電探測(cè)器件47-51
• 4.4.1 修飾銦納米顆粒陣列前后石墨烯/ZnSe納米帶光電探測(cè)器件制備過程47-48
• 4.4.2 修飾銦納米顆粒陣列前后石墨烯/ZnSe納米帶光電探測(cè)器件性能對(duì)比48-51
• 4.5 本章總結(jié)51-52
• 第五章 全文總結(jié)52-54
• 參考文獻(xiàn)54-58
• 攻讀碩士學(xué)位期間的學(xué)術(shù)成果58

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