本文關(guān)鍵詞：退火溫度和Ga含量對溶液法制備InGaZnO薄膜晶體管性能的影響

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【摘要】：采用溶液法在玻璃襯底上制備InGaZnO薄膜,并以InGaZnO為溝道層制備底柵頂接觸型薄膜晶體管,研究了退火溫度和Ga含量對InGaZnO薄膜和晶體管電學(xué)性能的影響.研究表明,退火可以明顯改善溶液法制備InGaZnO薄膜晶體管的電學(xué)性能.退火溫度的升高會導(dǎo)致薄膜晶體管閾值電壓的負(fù)向漂移,并且飽和遷移率和電流開關(guān)比增大.X射線光電子能譜測量表明,隨退火溫度的增加,InGaZnO薄膜表面吸附氧減少,溝道層中氧空位增多導(dǎo)致電子濃度增大.退火溫度為380?C時,晶體管獲得最佳性能.飽和遷移率隨Ga含量的增加而減小.In:Ga:Zn摩爾比為5:1.3:2時,晶體管達(dá)到最佳性能:飽和遷移率為0.43 cm~2/(V·s),閾值電壓為1.22 V,開關(guān)電流比為4.7×10~4,亞閾值擺幅為0.78 V/decade.
【作者單位】： 北京理工大學(xué)光電學(xué)院薄膜與顯示實驗室;
【關(guān)鍵詞】： InGaZnO 薄膜晶體管 溶液法 熱退火
【基金】：國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃(批準(zhǔn)號:2014CB643600)資助的課題~~
【分類號】：TN321.5
【正文快照】： 1引言2003年,Hoffman等[1]報道了以Zn O為有源層的全透明薄膜晶體管(thin film transistor,TFT),并提出了透明電子學(xué)[2]的概念.此后,以氧化物半導(dǎo)體為有源層的TFT技術(shù)迅速引起了人們的廣泛關(guān)注.多元金屬氧化物的重金屬陽離子離域的s軌道可形成很大程度上分散的導(dǎo)帶和較小的電

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【共引文獻(xiàn)】

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6 寧洪龍;胡詩r，

本文編號：1006707