本文關(guān)鍵詞：退火溫度和Ga含量對溶液法制備InGaZnO薄膜晶體管性能的影響

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【摘要】：采用溶液法在玻璃襯底上制備InGaZnO薄膜,并以InGaZnO為溝道層制備底柵頂接觸型薄膜晶體管,研究了退火溫度和Ga含量對InGaZnO薄膜和晶體管電學性能的影響.研究表明,退火可以明顯改善溶液法制備InGaZnO薄膜晶體管的電學性能.退火溫度的升高會導致薄膜晶體管閾值電壓的負向漂移,并且飽和遷移率和電流開關(guān)比增大.X射線光電子能譜測量表明,隨退火溫度的增加,InGaZnO薄膜表面吸附氧減少,溝道層中氧空位增多導致電子濃度增大.退火溫度為380?C時,晶體管獲得最佳性能.飽和遷移率隨Ga含量的增加而減小.In:Ga:Zn摩爾比為5:1.3:2時,晶體管達到最佳性能:飽和遷移率為0.43 cm~2/(V·s),閾值電壓為1.22 V,開關(guān)電流比為4.7×10~4,亞閾值擺幅為0.78 V/decade.
【作者單位】： 北京理工大學光電學院薄膜與顯示實驗室;
【關(guān)鍵詞】： InGaZnO 薄膜晶體管 溶液法 熱退火
【基金】：國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃(批準號:2014CB643600)資助的課題~~
【分類號】：TN321.5
【正文快照】： 1引言2003年,Hoffman等[1]報道了以Zn O為有源層的全透明薄膜晶體管(thin film transistor,TFT),并提出了透明電子學[2]的概念.此后,以氧化物半導體為有源層的TFT技術(shù)迅速引起了人們的廣泛關(guān)注.多元金屬氧化物的重金屬陽離子離域的s軌道可形成很大程度上分散的導帶和較小的電

【參考文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 李喜峰;信恩龍;石繼鋒;陳龍龍;李春亞;張建華;;低溫透明非晶IGZO薄膜晶體管的光照穩(wěn)定性[J];物理學報;2013年10期

【共引文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前8條

1 張世玉;喻志農(nóng);程錦;吳德龍;栗旭陽;薛唯;;退火溫度和Ga含量對溶液法制備InGaZnO薄膜晶體管性能的影響[J];物理學報;2016年12期

2 王靜;劉遠;劉玉榮;吳為敬;羅心月;劉凱;李斌;恩云飛;;銦鋅氧化物薄膜晶體管局域態(tài)分布的提取方法[J];物理學報;2016年12期

3 高婭娜;許云龍;張建華;李喜峰;;溶膠凝膠法制備以Al_2O_3為界面修飾層的鉿銦鋅氧薄膜晶體管[J];發(fā)光學報;2016年01期

4 李玲;薛濤;宋忠孝;張小寧;劉純亮;;氧分壓對直流磁控濺射IGZO薄膜特性的影響[J];真空科學與技術(shù)學報;2015年10期

5 李遠潔;江凱;劉子龍;;低溫增強型非晶銦鎵鋅氧薄膜晶體管特性研究[J];西安交通大學學報;2015年12期

6 寧洪龍;胡詩r，

本文編號：1006707