一種低溫度系數(shù)的帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)
本文關(guān)鍵詞:一種低溫度系數(shù)的帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)
更多相關(guān)文章: 帶隙基準(zhǔn) 溫度系數(shù) 電流模 電源電壓抑制比
【摘要】:基準(zhǔn)電壓源是集成電路系統(tǒng)中的重要組成部分,其性能直接影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性和魯棒性。溫度系數(shù)是基準(zhǔn)電壓源的重要性能指標(biāo)之一,而高階溫度補(bǔ)償技術(shù)是降低基準(zhǔn)源溫度系數(shù)的有效方法;跇(biāo)準(zhǔn)0.18μm CMOS工藝,設(shè)計(jì)了一種低溫度系數(shù)的帶隙基準(zhǔn)電壓源,采用電流模結(jié)構(gòu)的帶隙基準(zhǔn)電路實(shí)現(xiàn)了低電源電壓工作,并通過VBE線性化補(bǔ)償技術(shù)實(shí)現(xiàn)了在低壓下的高階溫度補(bǔ)償。所設(shè)計(jì)的CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源在-40~125℃的范圍內(nèi),溫度系數(shù)為6.855ppm/℃,低頻時(shí)電源電壓抑制比達(dá)到了-95 dB,而電源電壓在0.6~1.8 V范圍內(nèi)變化時(shí)線性調(diào)整率僅為0.2%。仿真實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,該電路結(jié)構(gòu)能夠有效提升帶隙基準(zhǔn)電壓源的溫度性能。
【作者單位】: 南京郵電大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】: 帶隙基準(zhǔn) 溫度系數(shù) 電流模 電源電壓抑制比
【基金】:國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61106021) 江蘇省高校自然科學(xué)研究面上項(xiàng)目(15KJB510020)
【分類號】:TN432
【正文快照】: 0引言隨著便攜式、穿戴式等應(yīng)用系統(tǒng)對低壓低功耗的基準(zhǔn)電壓源作為集成電路系統(tǒng)中的重要組成部要求不斷提高,使得帶隙基準(zhǔn)電路的工作電壓也越來分,其性能直接影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性和魯棒性;鶞(zhǔn)電越低,譬如David C.W.Ng等提出了一種帶隙基準(zhǔn)電壓源可分為電流模帶隙基準(zhǔn)電壓源[1-3
【相似文獻(xiàn)】
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,本文編號:1005956
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