發(fā)布時間：2017-09-04 13:34

  本文關鍵詞：憶阻電路等效建模與動力學分析

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【摘要】：憶阻器是物理上新實現(xiàn)的具有記憶特性的非線性基本二端電路元件。本文根據(jù)φ q關系式的泰勒級數(shù)形式構建了荷控憶阻器等效電路分析模型,以三次非線性荷控憶阻器模型為例,對不同參數(shù)條件下的荷控憶阻器進行了伏安關系、有無源性等電路特性的理論分析。通過等效實驗電路很好地驗證了理論分析結果,結果表明,荷控憶阻器的伏安關系具有斜體“8”字型緊磁滯回線特性,隨其參數(shù)符號的不同,荷控憶阻器呈現(xiàn)出無源性和有源性,導致其電路特性發(fā)生相應的變化;相比無源荷控憶阻器,有源荷控憶阻器更適用于作為二次諧波信號產生電路使用。進一步地,基于磁通和電荷物理量,重構了兩個電路定律,建立了三個基本元件韋庫關系,并提出了一種憶阻電路的映射等效分析方法。映射等效分析法表明,可通過一個具有相同拓撲和電路參數(shù)的非線性動力學電路來等效分析和實現(xiàn)一個憶阻動力學電路。以憶阻混沌電路和相應的帶有兩個輸出微分器的蔡氏混沌電路為例,進行了該方法的闡述;利用蔡氏混沌電路,開展了憶阻混沌電路的等效動力學分析和實現(xiàn)。結果說明,憶阻混沌電路的輸出與蔡氏混沌電路相應的輸出具有一致的動力學特性,所提出的方法得到了數(shù)值仿真和實驗觀察的驗證,它有助于憶阻動力學電路的設計和分析。
【關鍵詞】：憶阻電路 荷控憶阻器 等效建模 映射等效分析法 動力學特性
【學位授予單位】：常州大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2015
【分類號】：TM501
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本文編號：791840