本文關(guān)鍵詞：一款具有高PSRR低壓差線性穩(wěn)壓器的研究

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【摘要】：在手機、MP3、ipad等小型化電子商品不斷普及的趨勢下,電源管理芯片的研發(fā)也逐步成為關(guān)注焦點。其中,LDO依賴體積小、外圍電路少、無紋波、EMI等獨特優(yōu)勢,在電源管理芯片市場中占據(jù)較大的市場份額。而在射頻電路、數(shù)�；旌想娐芬约癝OC技術(shù)中,電源微弱噪聲影響將更為突出。因此,研究一款具有高電源抑制率的LDO極具現(xiàn)實意義。本文旨在研發(fā)一款具有高PSRR的LDO,應(yīng)用于CDMA手機射頻電路供電。首先論文深入討論了LDO中電源噪聲傳播到LDO輸出端的3大途徑,即帶隙基準(zhǔn)模塊引入噪聲、誤差放大器模塊引入噪聲以及功率級電路引入噪聲,并分別討論了這3大途徑引入噪聲的機制�；诖�,針對功率級電路,采用了前饋紋波消除技術(shù),有效抑制了功率級有限輸出阻抗rds以及負反饋環(huán)路vgs引入的噪聲;針對帶隙基準(zhǔn)模塊電路,采用預(yù)穩(wěn)壓技術(shù),有效抑制其引入的噪聲;針對誤差放大器模塊電路,采用N-DA+P-CS組合方式的兩級誤差放大器,有效提高其電源抑制能力。其次,針對環(huán)路穩(wěn)定性問題,論文分析了常用的三種頻率補償方法,采用含偽ESR電阻的固定零點頻率補償技術(shù)作為本設(shè)計的穩(wěn)定性設(shè)計方案,確保了充裕相位裕度。另外,還設(shè)計了過溫保護、過流保護以及短路保護等保護電路。最后基于華潤上華0.5μm N阱工藝,在工藝角為tt、常溫、供電電壓5V、負載電容CL為10μF條件下,進行電路設(shè)計與仿真。仿真結(jié)果為,最小壓降Vdrop約為200mV;在負載電流Iload為200mA的條件下,靜態(tài)電流Iq約為116μA;線性調(diào)整率SV約為0.05%;負載調(diào)整率SI約為0.15%;低頻下,LDO的電源抑制比不小于80dB;當(dāng)1KHZf10KHZ時,LDO的電源抑制比大于50dB。
【關(guān)鍵詞】：低壓差線性穩(wěn)壓器 電源抑制比 高頻
【學(xué)位授予單位】：華中科技大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號】：TM44
【目錄】：

• 摘要4-5
• Abstract5-9
• 1 緒論9-15
• 1.1 選題意義10-11
• 1.2 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀11-13
• 1.3 研究內(nèi)容13-14
• 1.4 論文組織結(jié)構(gòu)14-15
• 2 LDO的基本理論15-22
• 2.1 LDO的分類15
• 2.2 LDO的基本架構(gòu)與工作原理15-16
• 2.3 LDO工作過程16-17
• 2.4 LDO的關(guān)鍵參數(shù)17-21
• 2.5 本章小結(jié)21-22
• 3 LDO中電源紋波的傳輸路徑以及提高PSRR的方案22-43
• 3.1 LDO中電源紋波的傳輸路徑22-23
• 3.2 提高PSRR的方案23-42
• 3.3 本章小結(jié)42-43
• 4 頻率補償43-55
• 4.1 常用的三種頻率補償方法43-49
• 4.2 本設(shè)計的頻率補償49-52
• 4.3 仿真結(jié)果52-54
• 4.4 本章小結(jié)54-55
• 5 LDO輔助電路55-62
• 5.1 過溫保護電路55-58
• 5.2 過流保護電路58-60
• 5.3 短路保護電路60-61
• 5.4 本章小結(jié)61-62
• 6 系統(tǒng)仿真62-69
• 6.1 直流仿真62-66
• 6.2 交流仿真66-68
• 6.3 仿真結(jié)果與項目指標(biāo)比較68
• 6.4 本章小結(jié)68-69
• 7 總結(jié)與展望69-71
• 7.1 總結(jié)69
• 7.2 展望69-71
• 致謝71-72
• 參考文獻72-74

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本文編號：715593