發(fā)布時(shí)間：2017-08-21 23:00

  本文關(guān)鍵詞：一款具有高PSRR低壓差線性穩(wěn)壓器的研究

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【摘要】：在手機(jī)、MP3、ipad等小型化電子商品不斷普及的趨勢(shì)下,電源管理芯片的研發(fā)也逐步成為關(guān)注焦點(diǎn)。其中,LDO依賴體積小、外圍電路少、無紋波、EMI等獨(dú)特優(yōu)勢(shì),在電源管理芯片市場(chǎng)中占據(jù)較大的市場(chǎng)份額。而在射頻電路、數(shù)�；旌想娐芬约癝OC技術(shù)中,電源微弱噪聲影響將更為突出。因此,研究一款具有高電源抑制率的LDO極具現(xiàn)實(shí)意義。本文旨在研發(fā)一款具有高PSRR的LDO,應(yīng)用于CDMA手機(jī)射頻電路供電。首先論文深入討論了LDO中電源噪聲傳播到LDO輸出端的3大途徑,即帶隙基準(zhǔn)模塊引入噪聲、誤差放大器模塊引入噪聲以及功率級(jí)電路引入噪聲,并分別討論了這3大途徑引入噪聲的機(jī)制�；诖�,針對(duì)功率級(jí)電路,采用了前饋紋波消除技術(shù),有效抑制了功率級(jí)有限輸出阻抗rds以及負(fù)反饋環(huán)路vgs引入的噪聲;針對(duì)帶隙基準(zhǔn)模塊電路,采用預(yù)穩(wěn)壓技術(shù),有效抑制其引入的噪聲;針對(duì)誤差放大器模塊電路,采用N-DA+P-CS組合方式的兩級(jí)誤差放大器,有效提高其電源抑制能力。其次,針對(duì)環(huán)路穩(wěn)定性問題,論文分析了常用的三種頻率補(bǔ)償方法,采用含偽ESR電阻的固定零點(diǎn)頻率補(bǔ)償技術(shù)作為本設(shè)計(jì)的穩(wěn)定性設(shè)計(jì)方案,確保了充裕相位裕度。另外,還設(shè)計(jì)了過溫保護(hù)、過流保護(hù)以及短路保護(hù)等保護(hù)電路。最后基于華潤(rùn)上華0.5μm N阱工藝,在工藝角為tt、常溫、供電電壓5V、負(fù)載電容CL為10μF條件下,進(jìn)行電路設(shè)計(jì)與仿真。仿真結(jié)果為,最小壓降Vdrop約為200mV;在負(fù)載電流Iload為200mA的條件下,靜態(tài)電流Iq約為116μA;線性調(diào)整率SV約為0.05%;負(fù)載調(diào)整率SI約為0.15%;低頻下,LDO的電源抑制比不小于80dB;當(dāng)1KHZf10KHZ時(shí),LDO的電源抑制比大于50dB。
【關(guān)鍵詞】：低壓差線性穩(wěn)壓器 電源抑制比 高頻
【學(xué)位授予單位】：華中科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：TM44
【目錄】：

• 摘要4-5
• Abstract5-9
• 1 緒論9-15
• 1.1 選題意義10-11
• 1.2 國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀11-13
• 1.3 研究?jī)?nèi)容13-14
• 1.4 論文組織結(jié)構(gòu)14-15
• 2 LDO的基本理論15-22
• 2.1 LDO的分類15
• 2.2 LDO的基本架構(gòu)與工作原理15-16
• 2.3 LDO工作過程16-17
• 2.4 LDO的關(guān)鍵參數(shù)17-21
• 2.5 本章小結(jié)21-22
• 3 LDO中電源紋波的傳輸路徑以及提高PSRR的方案22-43
• 3.1 LDO中電源紋波的傳輸路徑22-23
• 3.2 提高PSRR的方案23-42
• 3.3 本章小結(jié)42-43
• 4 頻率補(bǔ)償43-55
• 4.1 常用的三種頻率補(bǔ)償方法43-49
• 4.2 本設(shè)計(jì)的頻率補(bǔ)償49-52
• 4.3 仿真結(jié)果52-54
• 4.4 本章小結(jié)54-55
• 5 LDO輔助電路55-62
• 5.1 過溫保護(hù)電路55-58
• 5.2 過流保護(hù)電路58-60
• 5.3 短路保護(hù)電路60-61
• 5.4 本章小結(jié)61-62
• 6 系統(tǒng)仿真62-69
• 6.1 直流仿真62-66
• 6.2 交流仿真66-68
• 6.3 仿真結(jié)果與項(xiàng)目指標(biāo)比較68
• 6.4 本章小結(jié)68-69
• 7 總結(jié)與展望69-71
• 7.1 總結(jié)69
• 7.2 展望69-71
• 致謝71-72
• 參考文獻(xiàn)72-74

【相似文獻(xiàn)】

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1 毛靜文;陳廷乾;陳誠(chéng);任俊彥;楊勵(lì);;低電壓基準(zhǔn)電壓源(英文)[J];復(fù)旦學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2006年01期

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本文編號(hào)：715593