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磁控濺射法制備銅鋅錫硫薄膜電池

發(fā)布時(shí)間:2017-08-18 18:27

  本文關(guān)鍵詞:磁控濺射法制備銅鋅錫硫薄膜電池


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【摘要】:采用磁控濺射法,先在鍍鉬的鈉鈣玻璃襯底上共濺射Cu、Sn金屬層后,然后在頂部濺射一層Zn S,制備出Cu_2ZnSnS_4(CZTS)薄膜的預(yù)制層。對(duì)預(yù)制層進(jìn)行低溫合金,然后以硫粉作為硫源在石英管中進(jìn)行高溫硫化,得到表面平整但晶粒較小的CZTS薄膜。通過X射線衍射儀(XRD)、掃描電鏡(SEM)及能譜儀(EDS)分別對(duì)薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌和薄膜組分進(jìn)行分析表征;并用拉曼光譜表征了CZTS相的純度。最后用所得到的CZTS薄膜制備了太陽(yáng)電池,其開路電壓:Voc=442 m V,短路電流密度:Jsc=5.08 m A/cm~2,光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)到0.62%。
【作者單位】: 云南師范大學(xué)太陽(yáng)能研究所教育部可再生能源材料先進(jìn)技術(shù)與制備重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室云南省農(nóng)村能源重點(diǎn)工程實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】銅鋅錫硫(CZTS) 磁控濺射 硫化 薄膜太陽(yáng)電池
【基金】:國(guó)家自然科學(xué)基金(61167003);國(guó)家自然科學(xué)基金(61176127)
【分類號(hào)】:TM914.42
【正文快照】: 1引言如今Cu In1-xGaxSe2(CIGS)薄膜太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率已超過了20%[1],然而因其含有稀缺元素In和Ga,造成大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)成本較高。Cu2Zn Sn S4(CZTS)與CIGS的晶體結(jié)構(gòu)相似[2],用地殼含量比較豐富的Zn和Sn代替了In和Ga元素,被認(rèn)為是極有可能取代CIGS的薄膜太陽(yáng)電池材料[

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前3條

1 孫遠(yuǎn)洋;雷天宇;張玉;任紅;蔡葦;符春林;;磁控濺射法制備鐵酸鉍基薄膜的研究進(jìn)展[J];中國(guó)陶瓷;2014年06期

2 孫若男;莊大明;張弓;;中頻磁控濺射法制備氧化鋅釔薄膜及其性能研究(英文)[J];中山大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2007年S1期

3 ;[J];;年期



本文編號(hào):696094

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