發(fā)布時間：2017-08-16 01:09

  本文關(guān)鍵詞：基于串并聯(lián)磁控憶阻器的耦合行為研究

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【摘要】：憶阻器是納米級器件,其功耗低,集成度高,有著巨大的應(yīng)用潛能.單個器件具有豐富的電學(xué)性質(zhì),其串并聯(lián)電路更展現(xiàn)了豐富的動力學(xué)行為.然而,憶阻器在高密度集成的環(huán)境下,其耦合效應(yīng)不可忽視.因此,本文首先基于磁控憶阻器推導(dǎo)了耦合憶阻器的數(shù)學(xué)模型.其次,在考慮不同極性連接和耦合強(qiáng)度的前提下,討論兩個磁控憶阻器串并聯(lián)的耦合情況,進(jìn)行了詳細(xì)的理論分析,并通過數(shù)值仿真探索了耦合效應(yīng)對憶阻系統(tǒng)的影響.同時,設(shè)計(jì)了基于Matlab的圖形用戶界面,直觀地展示了不同參數(shù)下的耦合特性曲線.進(jìn)一步,本文展示了有無耦合情況下,初始阻值對憶阻器正常工作范圍的影響.最后,構(gòu)建耦合憶阻器的Pspice仿真器,從電路的角度再次驗(yàn)證了憶阻器間的耦合效應(yīng).實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:同極性耦合增強(qiáng)了阻值的改變,相反極性的耦合減緩了阻值的改變.這些動力學(xué)特性可以很好地應(yīng)用于憶阻網(wǎng)絡(luò)中,也為全面考慮憶阻系統(tǒng)電路的設(shè)計(jì)提供了強(qiáng)大的理論基礎(chǔ).
【作者單位】： 西南大學(xué)電子信息工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 磁控憶阻器 耦合效應(yīng) 圖形用戶界面 Pspice
【基金】：教育部新世紀(jì)優(yōu)秀人才支持計(jì)劃(批準(zhǔn)號:教技函[2013]47號) 國家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號:61372139,61571372,60972155) 教育部“春暉計(jì)劃”科研項(xiàng)目(批準(zhǔn)號:z2011148) 留學(xué)人員科技活動項(xiàng)目(批準(zhǔn)號:渝人社辦[2012]186號) 重慶市高等學(xué)校優(yōu)秀人才支持計(jì)劃(批準(zhǔn)號:渝教人[2011]65號) 重慶市高等學(xué)校青年骨干教師資助計(jì)劃(批準(zhǔn)號:渝教人[2011]65號) 中央高�；究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)(批準(zhǔn)號:XDJK2014A009,XDJK2013B011)資助的課題~~
【分類號】：TM54
【正文快照】： 1引言1971年,Chua首次定義了憶阻器[1],它是繼電阻、電容和電感的第四種基本的電路元件.隨著納米級器件工藝的發(fā)展,惠普實(shí)驗(yàn)室團(tuán)隊(duì)在研究二氧化硅時,意外地發(fā)現(xiàn)了這種材料具有特殊的電子特性,后來證明了這就是憶阻器[2],并于2008年將此研究成果發(fā)表在《自然》期刊上[3].這引起

【參考文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前2條

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【共引文獻(xiàn)】

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6 劉海軍;田曉波;李清江;孫兆林;刁節(jié)濤;;基于蒙特卡洛方法的鈦氧化物憶阻器輻射損傷研究[J];物理學(xué)報(bào);2015年07期

7 郭羽泉;段書凱;王麗丹;;納米級尺寸參數(shù)對鈦氧化物憶阻器的特性影響[J];物理學(xué)報(bào);2015年10期

8 孟凡一;段書凱;王麗丹;胡小方;董哲康;;一種改進(jìn)的WO_x憶阻器模型及其突觸特性分析[J];物理學(xué)報(bào);2015年14期

9 蔣然;杜翔浩;韓祖銀;孫維登;;Ti/HfO_2/Pt阻變存儲單元中的氧空位聚簇分布[J];物理學(xué)報(bào);2015年20期

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前3條

1 丁山傳;憶阻器在有源電力濾波器中的應(yīng)用[D];太原科技大學(xué);2014年

2 劉歡;基于Matlab的憶阻器圖形用戶界面設(shè)計(jì)[D];重慶大學(xué);2014年

3 徐瑤;基于描述函數(shù)方法的神經(jīng)群振蕩分析[D];天津醫(yī)科大學(xué);2014年

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本文編號：680739