基于電動力計算的MMC子模塊母排設(shè)計校核及優(yōu)化方法
【文章頁數(shù)】:7 頁
【部分圖文】:
圖1MMC子模塊原理圖
文中仿真示例中MMC換流閥中子模塊采用的是半橋式子模塊方案。子模塊在運行中會出現(xiàn)IGBT失效問題,即擊穿損壞,呈現(xiàn)短路狀態(tài),其電路原理圖見圖1,三維物理模型見圖2。當(dāng)子模塊上管IGBTT1短路,此時子模塊的本地保護會立即導(dǎo)通旁路開關(guān)K切除故障子模塊。旁路開關(guān)K導(dǎo)通,下管T1關(guān)斷....
圖2三維物理模型
由于電容在仿真中僅充當(dāng)電源,故模型中不予體現(xiàn),而把電流激勵加在電容與母排相連的地方。此外由于旁路開關(guān)是閉合狀態(tài),文中關(guān)注的重點為母排的電動力,因而在模型中用一段母排短接,代替旁路開關(guān),降低仿真的復(fù)雜程度。子模塊的控制部分文中的仿真模型予以省略。根據(jù)上文所述,建立的簡化仿真模型見圖....
圖3仿真模型
根據(jù)上文所述,建立的簡化仿真模型見圖3。所有母排材料屬性均為銅,散熱器材料屬性為鋁,T1在擊穿時近似為良導(dǎo)體,因此T1的材料屬性設(shè)置為銅。由于晶閘管T3和下管IGBTT2均處以關(guān)斷狀態(tài),此處均予以隱藏,不參與仿真計算。為了表述的簡潔,把文中仿真分別用母排A、B、C、D、E分別表....
圖4子模塊母排磁場分布圖
為了能夠更直觀的顯示出電動力集聚較為集中的地方,文中把磁場的colormap設(shè)置為1,即突出顯示磁場最大值Bmax的1/2以上的磁場區(qū)域,見圖5。圖5調(diào)整后的子模塊母排磁場分布圖
本文編號:3970014
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/dianlilw/3970014.html