發(fā)布時間：2024-02-22 01:02

　　在玻璃/Mo襯底上采用恒電流順序電沉積Cu-Zn金屬預制層,后續(xù)在SnSe_x(x=1,2)氣氛較低硒壓條件下硒化制備CZTSe薄膜。SnSe_x(x=1,2)分壓由Sn源溫度控制,Se分壓由Se源溫度控制,Se源及樣品溫度分別為270℃和570℃。采用3種不同的硒化處理工藝對金屬預制層進行硒化處理。通過SEM及EDS表征CZTSe薄膜的結(jié)構(gòu)、形貌及成分。綜合SEM及EDS測試結(jié)果,確定CZTSe和Mo界面處MoSe₂相很薄。實驗發(fā)現(xiàn)較低SnSe_x(x=1,2)氣氛條件下可實現(xiàn)高溫低Se壓硒化CuZn預制層制備單相CZTSe薄膜,經(jīng)工藝優(yōu)化得到效率為7.6%的CZTSe太陽電池。

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