在玻璃/Mo襯底上采用恒電流順序電沉積Cu-Zn金屬預(yù)制層,后續(xù)在SnSe_x(x=1,2)氣氛較低硒壓條件下硒化制備CZTSe薄膜。SnSe_x(x=1,2)分壓由Sn源溫度控制,Se分壓由Se源溫度控制,Se源及樣品溫度分別為270℃和570℃。采用3種不同的硒化處理工藝對(duì)金屬預(yù)制層進(jìn)行硒化處理。通過(guò)SEM及EDS表征CZTSe薄膜的結(jié)構(gòu)、形貌及成分。綜合SEM及EDS測(cè)試結(jié)果,確定CZTSe和Mo界面處MoSe₂相很薄。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)較低SnSe_x(x=1,2)氣氛條件下可實(shí)現(xiàn)高溫低Se壓硒化CuZn預(yù)制層制備單相CZTSe薄膜,經(jīng)工藝優(yōu)化得到效率為7.6%的CZTSe太陽(yáng)電池。

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