通過研究氫稀釋對硼摻雜的硅氧材料特性的影響,制備出具有高縱向電導(dǎo)率(1.1×10^-5S/cm)、低橫向電導(dǎo)率4.2×10^-5S/cm和寬帶隙（2.52 eV）的p型納米硅氧（p-nc-SiO_x:H）材料,將其作為非晶硅電池（a-Si:H）的窗口層,使短波響應(yīng)得到明顯提升。但由于寬帶隙p-nc-SiO_x:H層的引入,使p/i界面能帶失配,惡化了電池性能。因此研究p/i界面緩沖層帶隙對電池性能的影響,發(fā)現(xiàn)提高緩沖層帶隙,使電池的內(nèi)建電場得到明顯提升,從而提高電池的轉(zhuǎn)換效率。將獲得的具有高開路電壓的a-Si:H電池作為頂電池應(yīng)用到非晶/微晶硅疊層電池中,得到效率達(dá)12.99%的高效非晶/微晶硅疊層太陽電池。 

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