C 4 F 7 N/CO 2 、C 5 F 10 O/C 6 F 12 O/Air的環(huán)保絕緣氣體特性研究及應(yīng)用
發(fā)布時間:2021-11-25 05:34
研究環(huán)保絕緣氣體具有深遠(yuǎn)的社會意義。C4F7N、C5F10O混合氣體是最有希望替代高溫室效應(yīng)SF6的環(huán)保絕緣氣體。對C4F7N/CO2、C5F10O/C6F12O/Air混合氣體的GWP值、液化性能和絕緣性能進(jìn)行了詳細(xì)研究。C4F7N/CO2(總壓7 bar,C4F7N分壓0.466 bar)的GWP值503,是SF6的2.13%;C5F10O/C6F12O/Air(總壓8 bar,C5F10O分壓0.285 bar,C6F12
【文章來源】:高壓電器. 2020,56(07)北大核心CSCD
【文章頁數(shù)】:8 頁
【部分圖文】:
SF6、C4F7N、C5F10O飽和蒸氣壓
氣體的絕緣性能取決于分子結(jié)構(gòu),是固有特性。文[15]給出了SF6、C4F7N和C5F10O分子的靜電勢能對比見圖3,正負(fù)極性表面積對比見表4。由圖3可知,C4F7N分子的正勢能是30,C5F10O分子的正勢能是40,均比SF6分子的正勢能15大。由表4可知,C4F7N分子的正極性表面積為128.5?2,C5F10O分子的正極性表面積為136.2?2,均比SF6分子的正極性表面積61.3?2大。分子的正勢能和正極性表面積均體現(xiàn)了分子吸附電子的能力,因此從分子結(jié)構(gòu)層面講,C4F7N和C5F10O的絕緣性能優(yōu)于SF6。
美國3M公司對于C4F7N/CO2、C5F10O/Air等氣體的絕緣性能,采用標(biāo)準(zhǔn)電極(平板電極,2.5 mm間隙,均勻電場,25℃)進(jìn)行了擊穿電壓的測定,擊穿電壓的比較見圖4-6。圖5 C4F7N/CO2混合氣體擊穿電壓
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]環(huán)保型絕緣氣體電氣特性研究進(jìn)展[J]. 周文俊,鄭宇,高克利,陳維江,蘇鎮(zhèn)西,喻劍輝. 高電壓技術(shù). 2018(10)
[2]定量結(jié)構(gòu)-性質(zhì)關(guān)系模型在SF6替代氣體研究中的應(yīng)用[J]. 胡世卓,周文俊,喻劍輝. 廣東電力. 2018(08)
[3]環(huán)保氣體C4F7N和C5F10O與CO2混合氣體的絕緣性能及其應(yīng)用[J]. 李興文,鄧云坤,姜旭,趙虎,卓然,王邸博,傅明利. 高電壓技術(shù). 2017(03)
[4]替代SF6的環(huán)保型絕緣氣體研究進(jìn)展與趨勢[J]. 周文俊,鄭宇,楊帥,覃兆宇,王寶山. 高壓電器. 2016(12)
[5]SF6替代氣體的研究進(jìn)展綜述[J]. 李興文,趙虎. 高電壓技術(shù). 2016(06)
本文編號:3517507
【文章來源】:高壓電器. 2020,56(07)北大核心CSCD
【文章頁數(shù)】:8 頁
【部分圖文】:
SF6、C4F7N、C5F10O飽和蒸氣壓
氣體的絕緣性能取決于分子結(jié)構(gòu),是固有特性。文[15]給出了SF6、C4F7N和C5F10O分子的靜電勢能對比見圖3,正負(fù)極性表面積對比見表4。由圖3可知,C4F7N分子的正勢能是30,C5F10O分子的正勢能是40,均比SF6分子的正勢能15大。由表4可知,C4F7N分子的正極性表面積為128.5?2,C5F10O分子的正極性表面積為136.2?2,均比SF6分子的正極性表面積61.3?2大。分子的正勢能和正極性表面積均體現(xiàn)了分子吸附電子的能力,因此從分子結(jié)構(gòu)層面講,C4F7N和C5F10O的絕緣性能優(yōu)于SF6。
美國3M公司對于C4F7N/CO2、C5F10O/Air等氣體的絕緣性能,采用標(biāo)準(zhǔn)電極(平板電極,2.5 mm間隙,均勻電場,25℃)進(jìn)行了擊穿電壓的測定,擊穿電壓的比較見圖4-6。圖5 C4F7N/CO2混合氣體擊穿電壓
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]環(huán)保型絕緣氣體電氣特性研究進(jìn)展[J]. 周文俊,鄭宇,高克利,陳維江,蘇鎮(zhèn)西,喻劍輝. 高電壓技術(shù). 2018(10)
[2]定量結(jié)構(gòu)-性質(zhì)關(guān)系模型在SF6替代氣體研究中的應(yīng)用[J]. 胡世卓,周文俊,喻劍輝. 廣東電力. 2018(08)
[3]環(huán)保氣體C4F7N和C5F10O與CO2混合氣體的絕緣性能及其應(yīng)用[J]. 李興文,鄧云坤,姜旭,趙虎,卓然,王邸博,傅明利. 高電壓技術(shù). 2017(03)
[4]替代SF6的環(huán)保型絕緣氣體研究進(jìn)展與趨勢[J]. 周文俊,鄭宇,楊帥,覃兆宇,王寶山. 高壓電器. 2016(12)
[5]SF6替代氣體的研究進(jìn)展綜述[J]. 李興文,趙虎. 高電壓技術(shù). 2016(06)
本文編號:3517507
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/dianlilw/3517507.html
最近更新
教材專著