發(fā)布時間：2021-08-31 12:51

　　由于氮化鎵（Gallium nitride,GaN）功率器件在高開關速度和高擊穿電壓特性上得天獨厚的優(yōu)勢,所以它在通信、汽車電子、雷達和無線充電應用上得到了快速的發(fā)展。然而設計師們并不只放眼于這些高端應用,他們已經(jīng)開始不斷地嘗試在新的便攜式設備的設計中采用GaN器件來實現(xiàn)下一代產(chǎn)品的優(yōu)越性能。但是將傳統(tǒng)零壓關斷,正壓開啟的功率驅(qū)動電路應用于高壓GaN功率器件時,高dv/dt、di/dt造成的共模噪聲串擾將極大限制GaN功率器件高壓下的應用。通過使用負壓關斷,零壓開啟的驅(qū)動電路來驅(qū)動耗盡型GaN功率器件可以提高驅(qū)動電路的共模噪聲抗擾能力。為了使高壓GaN驅(qū)動電路單電源供電,需要在驅(qū)動電路中設計一個負壓產(chǎn)生電路為高壓GaN柵驅(qū)動負壓關斷提供負壓電源。在該研究背景下,設計一個應用在高壓GaN柵驅(qū)動中的負壓電源具有重要的研究意義。本文介紹了兩種可以應用于高壓GaN柵驅(qū)動負壓關斷的負壓電源產(chǎn)生方式,分別為負壓電荷泵（Charge Pump）和升降壓（Buck-Boost）電路。通過分析兩種負壓電源工作原理,比較兩種負壓電源在高壓GaN柵驅(qū)動應用場景下的優(yōu)略,本文選擇了效率更高,輸出電壓連續(xù)可調(diào),... 

【文章來源】：電子科技大學四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：71 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

氮化鎵（GaN）技術和碳化硅（SiC）技術在不同電壓下的應用范圍

dv/dt對關斷GaN器件的影響

Buck-Boost負壓變換器電壓模時鐘控制波形

【參考文獻】：
碩士論文
[1]一款應用于SOC中的Buck型DC-DC的設計[D]. 付軍輝.西安電子科技大學 2009
[2]負電壓電荷泵電源的設計[D]. 姜明方.北京交通大學 2008



本文編號：3374929