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等效熱路在共箱隔離開關(guān)溫升計(jì)算中的運(yùn)用

發(fā)布時(shí)間:2021-06-30 16:49
  隔離開關(guān)是氣體絕緣金屬封閉開關(guān)(gas insulated switchgear,GIS)的重要設(shè)備,而溫升試驗(yàn)是其型式試驗(yàn)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。為了在開發(fā)階段更準(zhǔn)確地評(píng)估隔離開關(guān)運(yùn)行在大電流工況下的溫升,基于傳熱學(xué)原理,考慮集膚效應(yīng)、接觸電阻、散熱阻抗等因素,并兼顧到三相共箱設(shè)計(jì),提出了一種基于等效熱路模型的計(jì)算方法。將計(jì)算結(jié)果和試驗(yàn)數(shù)據(jù)對比分析,結(jié)果表明,所提出的計(jì)算方法能相對準(zhǔn)確地評(píng)估三相共箱隔離開關(guān)重點(diǎn)節(jié)點(diǎn)的溫升,為新產(chǎn)品開發(fā)提供重要依據(jù)。 

【文章來源】:高壓電器. 2020,56(08)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】:6 頁

【部分圖文】:

等效熱路在共箱隔離開關(guān)溫升計(jì)算中的運(yùn)用


GIS傳熱原理

流程圖,導(dǎo)體,溫升,理論計(jì)算


GIS內(nèi)部產(chǎn)生的熱量主要由導(dǎo)體本身發(fā)熱和接觸電阻產(chǎn)生的熱量。導(dǎo)體本身電阻為:式(2)-(4)中:R dc為溫度t1下導(dǎo)體的直流電阻,μΩ;Rdc1為20℃下導(dǎo)體直流電阻,μΩ;a1為20℃時(shí)的溫度系數(shù);ρ為導(dǎo)體電阻率,μΩ·mm;L為導(dǎo)體長度,mm;S為導(dǎo)體截面積,mm2;K為交變電流下導(dǎo)體集膚效應(yīng);Rac為導(dǎo)體交流電阻,μΩ。

形態(tài)圖,形態(tài),熱源,斯蒂芬


式(16)-(18)中:A為放射面積;σ為斯蒂芬—波爾斯曼常數(shù)5.667×108,W/(m2·T4);K為根據(jù)放射形態(tài)和放射率定的系數(shù),見圖3;T1、T2為絕對溫度;ε1、ε2為熱源的放射率;A1、A2為熱源的截面積。3 252kV三相共箱隔離開關(guān)模擬過程

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
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本文編號(hào):3258119

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