缺陷調(diào)控是影響半導(dǎo)體太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵因素.缺陷與摻雜直接決定半導(dǎo)體中載流子的類型、濃度、傳輸以及光生載流子的非輻射復(fù)合.真實半導(dǎo)體中存在的缺陷種類繁多,濃度各異,使得缺陷,特別是單個點缺陷性質(zhì)的實驗表征非常困難,因而理論與計算在缺陷研究中起到了重要的作用.本文首先介紹了基于第一性原理的缺陷計算方法,然后以典型太陽能電池材料CdTe, Cu（In, Ga）Se2, Cu2ZnSnS（Se）4和CH3NH3PbI3為例,詳細(xì)介紹了如何從理論計算角度認(rèn)識和調(diào)控太陽能電池材料的缺陷性質(zhì). 

【文章來源】：物理學(xué)報. 2020,69(17)北大核心EISCICSCD

【文章頁數(shù)】：19 頁


本文編號：3202241