缺陷調(diào)控是影響半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵因素.缺陷與摻雜直接決定半導(dǎo)體中載流子的類型、濃度、傳輸以及光生載流子的非輻射復(fù)合.真實(shí)半導(dǎo)體中存在的缺陷種類繁多,濃度各異,使得缺陷,特別是單個(gè)點(diǎn)缺陷性質(zhì)的實(shí)驗(yàn)表征非常困難,因而理論與計(jì)算在缺陷研究中起到了重要的作用.本文首先介紹了基于第一性原理的缺陷計(jì)算方法,然后以典型太陽(yáng)能電池材料CdTe, Cu（In, Ga）Se2, Cu2ZnSnS（Se）4和CH3NH3PbI3為例,詳細(xì)介紹了如何從理論計(jì)算角度認(rèn)識(shí)和調(diào)控太陽(yáng)能電池材料的缺陷性質(zhì). 

【文章來(lái)源】：物理學(xué)報(bào). 2020,69(17)北大核心EISCICSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：19 頁(yè)


本文編號(hào)：3202241