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Z-800裝置的全電路仿真及優(yōu)化設(shè)計(jì)

發(fā)布時(shí)間:2021-04-16 14:44
  對(duì)美國桑迪亞實(shí)驗(yàn)室提出的Z箍縮裝置Z-800,電磁波在直線變壓器驅(qū)動(dòng)源(linear transformer driver, LTD)內(nèi)部傳輸時(shí)間大于輸出電流上升時(shí)間,傳統(tǒng)的LTD型Z箍縮裝置的模擬與優(yōu)化方法并不適用。因此建立了Z-800裝置的包括驅(qū)動(dòng)源和單層鎢絲陣負(fù)載的全電路模型,其中LTD采用串聯(lián)傳輸線模型以反映其內(nèi)部電磁波傳輸過程;谠撊娐纺P,將能量傳輸效率作為評(píng)價(jià)指標(biāo),對(duì)絲陣負(fù)載參數(shù)和整體徑向變阻抗線線型進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì),并討論了LTD采用串聯(lián)傳輸線模型的必要性。根據(jù)仿真結(jié)果得到了最優(yōu)負(fù)載參數(shù),發(fā)現(xiàn)指數(shù)型變阻抗線性能最好,且LTD采用串聯(lián)傳輸線模型對(duì)整體徑向變阻抗線線型設(shè)計(jì)有影響。文中得到了Z-800裝置的優(yōu)化設(shè)計(jì)結(jié)果,建立了LTD型Z箍縮裝置的全電路仿真及優(yōu)化設(shè)計(jì)方法,為我國建立相類似的LTD型Z箍縮裝置奠定了仿真基礎(chǔ)。 

【文章來源】:高電壓技術(shù). 2020,46(07)北大核心EICSCD

【文章頁數(shù)】:6 頁

【部分圖文】:

Z-800裝置的全電路仿真及優(yōu)化設(shè)計(jì)


Z-800概念裝置示意圖

示意圖,傳輸線模型,常數(shù),半徑


圖1 Z-800概念裝置示意圖式中:Z(r)為半徑r處的傳輸線特性阻抗;Zinput和Zoutput分別為輸入、輸出端的傳輸線特性阻抗;rinput和routput分別為輸入、輸出端的半徑;β為常數(shù),并且是誤差函數(shù);l=rinput-routput是傳輸線長度;h是常數(shù),在后續(xù)仿真中取0.1。

電路模型,半徑,效率,能量


不同初始半徑對(duì)應(yīng)的最大能量傳輸效率基本相同。當(dāng)絲陣初始半徑值確定后,采用該初始半徑對(duì)應(yīng)的最優(yōu)質(zhì)量,可以得到最大的能量傳輸效率。若絲陣的初始半徑和質(zhì)量都可變時(shí),需要考慮其他因素來確定最終的負(fù)載參數(shù),如絲陣間隙值、負(fù)載箍縮到芯時(shí)刻速度等。圖4 不同初始半徑時(shí)能量傳輸效率與負(fù)載質(zhì)量的關(guān)系


本文編號(hào):3141630

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