化學(xué)制絨可在單晶硅表面制備出金字塔陷光織構(gòu)。針對(duì)單晶硅電池表面的金字塔高度對(duì)其光電轉(zhuǎn)換效率有著顯著影響,通過(guò)對(duì)單晶硅金字塔織構(gòu)形貌特征進(jìn)行分析,采用一種基于濾波、二值化、分割、形態(tài)學(xué)處理的圖像處理技術(shù)對(duì)化學(xué)制絨后單晶硅金字塔織構(gòu)的高度進(jìn)行計(jì)算,得到了單晶硅金字塔織構(gòu)的高度分布。檢測(cè)結(jié)果表明,基于圖像處理技術(shù)對(duì)單晶硅金字塔織構(gòu)的高度計(jì)算分析,可以準(zhǔn)確地反映金字塔織構(gòu)的高度分布情況。 

【文章來(lái)源】：現(xiàn)代電子技術(shù). 2020,43(15)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：5 頁(yè)

【部分圖文】：

正四棱錐模型

金字塔織構(gòu)三維模型

通過(guò)觀察金字塔織構(gòu)三維模型發(fā)現(xiàn)，其單個(gè)金字塔結(jié)構(gòu)近似為正四棱錐模型。以金字塔單元的AB和CD底邊的中點(diǎn)F,G和頂點(diǎn)E截取平面，得到金字塔剖面圖，如圖3所示。正四棱錐的底面形狀為正方形，如圖4所示。圖4 金字塔俯視圖

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號(hào)：3119427