高溫超導磁儲能用電壓源型功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)中,IGBT的高速開關(guān)動作產(chǎn)生很高的dv/dt和di/dt,引起嚴重的電磁干擾。對超導磁儲能用斬波器的兩種工作模式分析發(fā)現(xiàn),其與buck電路和boost電路的工作原理相同,進而得到斬波器的傳導電磁干擾模型。采用Saber軟件,分別對斬波器在理想情況和考慮各元件高頻寄生參數(shù)時的傳導干擾進行了仿真分析,結(jié)果表明,開關(guān)管通斷過程中快速的電壓和電流變化會引起嚴重的電磁干擾,高頻寄生參數(shù)的存在會明顯增加干擾強度,分析結(jié)果為斬波器的電磁兼容性設計提供了一定的參考依據(jù)。 

【文章來源】：低溫與超導. 2014,42(12)北大核心

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
1 引言
2 SMES用電壓型PCS基本結(jié)構(gòu)和工作原理
3 斬波器傳導干擾分析
    3.1 斬波器傳導干擾產(chǎn)生機理
    3.2 充電模式
    3.3 放電模式
    3.4 傳導干擾模型
    3.5 干擾源分析
4 仿真分析
5 結(jié)論


【參考文獻】：
期刊論文
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