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石墨烯-硅肖特基結(jié)太陽電池的仿真研究

發(fā)布時間:2021-01-27 14:07
  石墨烯-硅肖特基結(jié)太陽電池的開路電壓、短路電流密度較低,其主要是受到本征石墨烯較小的功函數(shù)及較大的薄膜電阻的影響。針對這些問題,該文基于實(shí)驗(yàn)報(bào)道的石墨烯和晶硅電學(xué)參數(shù),利用AFORS-HET軟件對石墨烯-硅肖特基結(jié)太陽電池進(jìn)行仿真模擬。模擬結(jié)果表明,石墨烯層中的受主濃度、功函數(shù)、及禁帶寬度的增加都能提高開路電壓。而晶硅層施主濃度的提升則會使開路電壓下降,隨著晶硅施主濃度的增加,開路電壓從494.1 mV下降到386.6 mV。最后對晶硅及石墨烯層的厚度優(yōu)化,電池效率達(dá)到11.92%,為目前報(bào)道此種結(jié)構(gòu)電池的模擬最高值。 

【文章來源】:太陽能學(xué)報(bào). 2020,41(07)北大核心

【文章頁數(shù)】:6 頁

【部分圖文】:

石墨烯-硅肖特基結(jié)太陽電池的仿真研究


模擬器件的結(jié)構(gòu)與能帶示意圖

石墨,功函數(shù),受主,電池


在實(shí)驗(yàn)中可通過摻雜來調(diào)節(jié)石墨烯的帶隙[21],不同帶隙的石墨烯對太陽電池性能的影響也不同。圖3a和圖3b表示石墨烯帶隙寬度與電池性能的關(guān)系,從圖中可看出,JSC、VOC、FF、η都隨著帶隙寬度的增加而增大。當(dāng)石墨烯禁帶寬度增加時,肖特基結(jié)中的載流子在界面處的隧穿幾率減小,結(jié)區(qū)對光生載流子的收集能力增強(qiáng),反向飽和電流減小,內(nèi)建電場增強(qiáng),提高了電池的開路電壓。圖2 石墨烯層不同受主濃度、功函數(shù)時的電池性能

受主,石墨,功函數(shù),電池


石墨烯層不同受主濃度、功函數(shù)時的電池性能

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]利用AFORS-HET對P型HIT太陽電池的模擬優(yōu)化[J]. 姚堯,肖少慶,劉晶晶,顧曉峰.  人工晶體學(xué)報(bào). 2016(04)
[2]石墨烯摻雜的研究進(jìn)展[J]. 張蕓秋,梁勇明,周建新.  化學(xué)學(xué)報(bào). 2014(03)
[3]薄膜太陽電池介紹及應(yīng)用發(fā)展[J]. 王恩忠.  新材料產(chǎn)業(yè). 2010(09)
[4]N型單晶硅襯底上非晶硅/單晶硅異質(zhì)結(jié)太陽電池計(jì)算機(jī)模擬[J]. 任丙彥,張燕,郭貝,張兵,李洪源,許穎,王文靜.  太陽能學(xué)報(bào). 2008(09)



本文編號:3003182

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