發(fā)布時間：2021-01-27 00:05

　　能源短缺是人類一直以來面臨的嚴峻問題。此外,大量不清潔能源的使用,造成了污染嚴重,霧霾橫行。為了找尋更加清潔、同時又廉價的能源,科學家們把目光鎖定在了可控核聚變這一能夠徹底解決人類能源危機的大工程上。而目前這一工程的最大難點仍然在“可控”上,而面向等離子體材料（PFMs）是“可控”的重要一環(huán)。面向等離子體材料（PFMs）面臨著從等離子體中逃離出來的高能粒子的轟擊,因此需要非常好的熱力學性能和耐輻照性。SiC材料是第三代半導體材料,力學性能良好,抗輻照性能也很好,是面向等離子體材料的候選材料之一;由于嬗變反應滯留在材料內(nèi)部的H和He粒子及其之間的相互作用會極大的影響材料的性能,因此這方面的研究也是當前熱點。另一方面能源轉(zhuǎn)化貯存也是一個急需解決的問題,高鎳三元鋰離子電池材料LiNi0.8Co0.15A10.05O2（NCA）性能優(yōu)良,具有工作電壓較高、自放電率低、循環(huán)壽命長、無記憶效應等優(yōu)點,而其Li⁺/Ni²⁺混排現(xiàn)象對材料電化學性能的影響是目前科研工作者的一個研究重點。本文運用密度泛函理論對3C-β SiC材料以及鋰離子電池材料的某些性質(zhì)進行... 

【文章來源】：中國科學技術(shù)大學安徽省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：72 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖１－１?ＩＴＥＲ設(shè)計示意圖??在上圖中我們可以看到進行核聚變時；其內(nèi)壁材料（面向等離子體材料，??

滯留行為［２７－２８］。Ｇａｉｌ和Ｓｏｎ等人研宄了?Ｈ原ｆ在３Ｃ－（３?ＳｉＣ的行為，發(fā)現(xiàn)Ｈ??原子十分傾向于停留在Ｃ－Ｓｉ鍵的反鍵位，形成一個類似Ｈ－Ｃ－Ｓｉ的結(jié)構(gòu)［２９－３１］，??如圖１－４所示。Ｅｄｄｉｎ等人研宄了?Ｈｅ原子在３Ｃ－Ｐ?ＳｉＣ中的填隙行為和遷移行為，??他們發(fā)現(xiàn)Ｈｅ原子在３Ｃ－ｐ?ＳｉＣ中最穩(wěn)定的位置是在Ｓｉ四面體的中心位置（Ｔｓｉ）；??另外，他們還研究了?３Ｃ－（３?ＳｉＣ中的多種缺陷（硅空位缺陷、碳空位缺陷、雙空位??缺陷等）的形成能，發(fā)現(xiàn)３Ｃ－ｐ?ＳｉＣ中Ｃ空位缺陷的形成能最低，以及Ｈｅ原子在??缺陷之間的遷移行為，遷移的能量壁壘大概在〇．６－１．０ｅＶ［３２－３４］。??Ｉ?，?Ｓｉ????Ｋ９５Ａ??圖１－４?Ｈ－Ｃ－Ｓｉ結(jié)構(gòu)圖，引自文獻丨３０卜??在整個核輻照的環(huán)境下，面向等離子體材料３Ｃ－（３?ＳｉＣ將會同時面對Ｈｅ原??子和Ｈ原子轟擊，３Ｃ－（３?ＳｉＣ材料內(nèi)部會同時滯留Ｈｅ原子和Ｈ原子，那么Ｈ原??７??

序度增加了很多；除此之外，他們還發(fā)現(xiàn)Ｈ在＾：－ｐＳｉＣ的滯留量與是否提前用??Ｈｅ原子福照無關(guān)［２５］。??圖１－３?Ｈ離子輻照后樣品截面的ＴＥＭ圖像，弓｜自文獻丨２３｜??在理論計算方面，有幾個研宄組將重點放在了?Ｈ和Ｈｅ原子在３Ｃ－（３?ＳｉＣ中??滯留行為［２７－２８］。Ｇａｉｌ和Ｓｏｎ等人研宄了?Ｈ原ｆ在３Ｃ－（３?ＳｉＣ的行為，發(fā)現(xiàn)Ｈ??原子十分傾向于停留在Ｃ－Ｓｉ鍵的反鍵位，形成一個類似Ｈ－Ｃ－Ｓｉ的結(jié)構(gòu)［２９－３１］，??如圖１－４所示。Ｅｄｄｉｎ等人研宄了?Ｈｅ原子在３Ｃ－Ｐ?ＳｉＣ中的填隙行為和遷移行為，??他們發(fā)現(xiàn)Ｈｅ原子在３Ｃ－ｐ?ＳｉＣ中最穩(wěn)定的位置是在Ｓｉ四面體的中心位置（Ｔｓｉ）；??另外，他們還研究了?３Ｃ－（３?ＳｉＣ中的多種缺陷（硅空位缺陷、碳空位缺陷、雙空位??缺陷等）的形成能，發(fā)現(xiàn)３Ｃ－ｐ?ＳｉＣ中Ｃ空位缺陷的形成能最低，以及Ｈｅ原子在??缺陷之間的遷移行為，遷移的能量壁壘大概在〇．６－１．０ｅＶ［３２－３４］。??Ｉ?


本文編號：3002058