納米二氧化硅改性PVAPB水凝膠電解質(zhì)及其在超級(jí)電容器中的應(yīng)用
發(fā)布時(shí)間:2021-01-17 06:47
采用納米二氧化硅(SiO2)對原位電沉積所制備的聚乙烯醇硼酸鉀(PVAPB)水凝膠電解質(zhì)(HPE)進(jìn)行摻雜改性,并對摻雜前后的電解質(zhì)進(jìn)行結(jié)構(gòu)、形貌、熱性能以及電導(dǎo)率進(jìn)行分析。結(jié)果顯示摻雜前后電解質(zhì)都具有穩(wěn)定的化學(xué)結(jié)構(gòu),SiO2的加入會(huì)增加HPE的鹽含量,促進(jìn)離子的解離和運(yùn)動(dòng)。改性后的PVAPB HPE離子電導(dǎo)率達(dá)到了1.59 mS/cm。由SiO2改性PVAPB HPE組裝的超級(jí)電容器在1.0 A/g的電流密度下具有75.6 F/g的比容量,且時(shí)間常數(shù)為33.3 s。相比于未改性的超級(jí)電容器的容量提高了13.5%,時(shí)間常數(shù)縮短了一半。同時(shí),使用SiO2摻雜改性HPE的超級(jí)電容器也體現(xiàn)出優(yōu)異的倍率性能。
【文章來源】:儲(chǔ)能科學(xué)與技術(shù). 2020,9(06)
【文章頁數(shù)】:6 頁
【部分圖文】:
(a)PVAPB HPE和納米二氧化硅的紅外譜圖;(b) PVAPB HPE電解質(zhì)的DSC圖
時(shí)間常數(shù)和倍率性能是判斷超級(jí)電容器電化學(xué)性能的兩個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。對含有1.0%Si O2的超級(jí)電容器與不含Si O2的電容器進(jìn)行了時(shí)間常數(shù)和倍率性能的測試,結(jié)果如圖8所示。圖8(a)是兩種不同電容器的C?與頻率關(guān)系譜。C?是指在EIS測試中電容的虛部部分,它對應(yīng)的是由于滯后造成的不可逆的能量消耗,計(jì)算公式為C?(ω)=-Z?(ω)/ω|Z(ω)|2,式中-Z?(ω)表示阻抗的虛部,ω代表頻率[15]。而時(shí)間常數(shù)τ0=1/f0(f0是C?取最大值時(shí)的頻率)表示設(shè)備的弛豫時(shí)間,反映超級(jí)電容器放電效率的參數(shù)[15]。添加Si O2后的電容器的時(shí)間常數(shù)只有33.3 s,是未添加超級(jí)電容器(71.4 s)的1/2,這說明Si O2的加入會(huì)使得超級(jí)電容器在較短的時(shí)間內(nèi)能放出更多的能量,能量效率較高。因此添加Si O2的超級(jí)電容器能在大電流下表現(xiàn)出更加優(yōu)良的性能[15]。兩種不同超級(jí)電容器的倍率性能顯示在圖8(b)?梢钥闯鰞煞N電容器在不同電流密度下都能保持良好穩(wěn)定性。并且電流密度從0.1 A/g增加到1.5 A/g然后再回到小電流0.1 A/g,兩種電容器的容量幾乎都不會(huì)發(fā)生衰減,說明倍率性能良好。并且加入Si O2的超級(jí)電容器在各種電流密度下的容量都要明顯優(yōu)于未添加的,說明Si O2的加入能夠使得超級(jí)電容器的性能更加優(yōu)異。3 結(jié)論
納米Si O2改性PVAPB HPE的制備過程如圖1所示。將0.05 g、0.10 g、0.15 g、0.20 g納米Si O2加入500 m L水中,然后用高速攪拌機(jī)在1400 r/min攪拌速率下攪拌10 min進(jìn)行分散。將分散好的Si O2溶液倒入含有10.0 g PVA、1.75 g H3BO3、33.55 g KCl的三口燒瓶中。在115℃下攪拌溶解2 h形成均勻的電沉積溶液,隨后冷卻至40℃?zhèn)溆谩R允糇鳛殛枠O,活性炭電極作為陰極,插入到電沉積液中。在2.75 V的電壓下,進(jìn)行陰極電沉積3 min,直至電極表面形成PVAPB HPE。最后采用同樣的方法制備不含Si O2的PVAPB HPE作為對比樣。1.3 超級(jí)電容器的組裝
本文編號(hào):2982393
【文章來源】:儲(chǔ)能科學(xué)與技術(shù). 2020,9(06)
【文章頁數(shù)】:6 頁
【部分圖文】:
(a)PVAPB HPE和納米二氧化硅的紅外譜圖;(b) PVAPB HPE電解質(zhì)的DSC圖
時(shí)間常數(shù)和倍率性能是判斷超級(jí)電容器電化學(xué)性能的兩個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。對含有1.0%Si O2的超級(jí)電容器與不含Si O2的電容器進(jìn)行了時(shí)間常數(shù)和倍率性能的測試,結(jié)果如圖8所示。圖8(a)是兩種不同電容器的C?與頻率關(guān)系譜。C?是指在EIS測試中電容的虛部部分,它對應(yīng)的是由于滯后造成的不可逆的能量消耗,計(jì)算公式為C?(ω)=-Z?(ω)/ω|Z(ω)|2,式中-Z?(ω)表示阻抗的虛部,ω代表頻率[15]。而時(shí)間常數(shù)τ0=1/f0(f0是C?取最大值時(shí)的頻率)表示設(shè)備的弛豫時(shí)間,反映超級(jí)電容器放電效率的參數(shù)[15]。添加Si O2后的電容器的時(shí)間常數(shù)只有33.3 s,是未添加超級(jí)電容器(71.4 s)的1/2,這說明Si O2的加入會(huì)使得超級(jí)電容器在較短的時(shí)間內(nèi)能放出更多的能量,能量效率較高。因此添加Si O2的超級(jí)電容器能在大電流下表現(xiàn)出更加優(yōu)良的性能[15]。兩種不同超級(jí)電容器的倍率性能顯示在圖8(b)?梢钥闯鰞煞N電容器在不同電流密度下都能保持良好穩(wěn)定性。并且電流密度從0.1 A/g增加到1.5 A/g然后再回到小電流0.1 A/g,兩種電容器的容量幾乎都不會(huì)發(fā)生衰減,說明倍率性能良好。并且加入Si O2的超級(jí)電容器在各種電流密度下的容量都要明顯優(yōu)于未添加的,說明Si O2的加入能夠使得超級(jí)電容器的性能更加優(yōu)異。3 結(jié)論
納米Si O2改性PVAPB HPE的制備過程如圖1所示。將0.05 g、0.10 g、0.15 g、0.20 g納米Si O2加入500 m L水中,然后用高速攪拌機(jī)在1400 r/min攪拌速率下攪拌10 min進(jìn)行分散。將分散好的Si O2溶液倒入含有10.0 g PVA、1.75 g H3BO3、33.55 g KCl的三口燒瓶中。在115℃下攪拌溶解2 h形成均勻的電沉積溶液,隨后冷卻至40℃?zhèn)溆谩R允糇鳛殛枠O,活性炭電極作為陰極,插入到電沉積液中。在2.75 V的電壓下,進(jìn)行陰極電沉積3 min,直至電極表面形成PVAPB HPE。最后采用同樣的方法制備不含Si O2的PVAPB HPE作為對比樣。1.3 超級(jí)電容器的組裝
本文編號(hào):2982393
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