發(fā)布時(shí)間：2021-01-03 21:18

　　多晶硅錠主要通過(guò)定向凝固法生長(zhǎng),由于這種方法成本低且產(chǎn)量高,使其成為太陽(yáng)能電池材料最重要的襯底之一。傳統(tǒng)的多晶硅錠是在石英坩堝底部的氮化硅涂層上形核,晶粒較大且位錯(cuò)密度較高。自2011年以來(lái)出現(xiàn)了使用多晶硅作為籽晶誘導(dǎo)多晶硅錠生長(zhǎng),也被稱為高效多晶硅,它是光伏產(chǎn)業(yè)取得的一個(gè)重大進(jìn)展。與傳統(tǒng)生長(zhǎng)方式大晶粒多晶硅錠不同,使用籽晶誘導(dǎo)的多晶硅錠的晶粒尺寸細(xì)小均勻,晶粒取向分布更均勻,具有高比例的隨機(jī)晶界和較低的位錯(cuò)密度,電池轉(zhuǎn)化效率顯著提高且分布更窄。目前主要的多晶硅片廠家都轉(zhuǎn)向使用籽晶來(lái)輔助生長(zhǎng)多晶硅錠,在籽晶選擇方面,流化床顆粒硅或西門子多晶硅是最常用的籽晶材料,位于坩堝底部的籽晶提供了許多用于外延生長(zhǎng)的成核點(diǎn),硅熔體在一定的過(guò)冷度下很容易從籽晶上進(jìn)行引晶。但是多晶硅籽晶誘導(dǎo)技術(shù)也存在不可忽視的缺點(diǎn),首先它需要在坩堝底部進(jìn)行精確的熱場(chǎng)控制用于保留部分籽晶,因此該方法的熔化時(shí)間比傳統(tǒng)的更長(zhǎng)導(dǎo)致產(chǎn)能降低,其次,流化床顆粒硅或西門子多晶硅籽晶的比表面積較大容易造成雜質(zhì)污染。因此,使用多晶硅籽晶誘導(dǎo)的多晶硅錠在底部呈現(xiàn)出更多的低少數(shù)載流子壽命區(qū)域。本課題研究制備不同的硅粉形核劑用于生長(zhǎng)高效多晶硅... 

【文章來(lái)源】：南昌大學(xué)江西省 211工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】：64 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

光伏產(chǎn)業(yè)鏈

多晶硅鑄錠方法

電磁鑄造法

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]形核物對(duì)鑄錠多晶硅晶體生長(zhǎng)的影響[J]. 焦富強(qiáng),權(quán)祥,秦濤,鄧敏,徐冬梅,朱常任.  電子器件. 2016(05)
[2]籽晶粒徑分布對(duì)高效多晶硅晶體生長(zhǎng)的影響[J]. 戚鳳鳴,張兆玉,鐘根香,周緒成,黃新明.  材料導(dǎo)報(bào). 2015(24)
[3]太陽(yáng)能多晶硅錠定向凝固技術(shù)進(jìn)展[J]. 鐘根香,周浪,萬(wàn)躍鵬.  材料導(dǎo)報(bào). 2008(09)
[4]鑄造多晶硅中雜質(zhì)對(duì)少子壽命的影響[J]. 鄧海,楊德仁,唐駿,席珍強(qiáng),闕端麟.  太陽(yáng)能學(xué)報(bào). 2007(02)



本文編號(hào)：2955504