隨著我國(guó)電力事業(yè)的飛速發(fā)展,電力能源早己成為國(guó)民生活中最重要的能源之一,在形形色色的電氣裝置和電子設(shè)備中,大電流設(shè)備被廣泛應(yīng)用�！按箅娏鳌钡母拍畈⒉皇且粋�(gè)絕對(duì)值,在不同的應(yīng)用領(lǐng)域,其外延和內(nèi)涵不盡相同。在交通領(lǐng)域,除了電動(dòng)汽車的電機(jī)驅(qū)動(dòng)外,傳統(tǒng)汽車的起動(dòng)系統(tǒng)中其核心部件也是低壓大電流系統(tǒng),其直流電壓通常由蓄電池提供,電壓一般為12～48V的低電壓,電流在幾百安至幾千安,本文所研究的低壓大電流系統(tǒng)即屬于此范疇。本文所述的低壓大電流系統(tǒng),對(duì)某重型機(jī)車24V、11KW串勵(lì)直流起動(dòng)機(jī)的控制器進(jìn)行設(shè)計(jì),從功率器件并聯(lián)應(yīng)用角度出發(fā),對(duì)原控制器進(jìn)行改進(jìn),能夠達(dá)到對(duì)電機(jī)起動(dòng)時(shí)的電樞電流有效控制的目標(biāo)。本文首先對(duì)主電路拓?fù)�、功率半�?dǎo)體器件選型等問(wèn)題進(jìn)行了討論,選定了基于14只功率MOSFET并聯(lián)的半橋電路作為主拓?fù)�。�?duì)多只MOSFET并聯(lián)均流問(wèn)題、MOSFET的柵極保護(hù)、過(guò)電壓保護(hù)、過(guò)電流保護(hù)等問(wèn)題進(jìn)行了充分調(diào)研和討論。然后在Altium Designer軟件中設(shè)計(jì)控制器的硬件電路原理圖和PCB電路板,設(shè)計(jì)了基于LM25101驅(qū)動(dòng)芯片的驅(qū)動(dòng)電路。控制部分選用了 32位ARM核的控制芯片STM32F103... 

【文章來(lái)源】：杭州電子科技大學(xué)浙江省

【文章頁(yè)數(shù)】：73 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

功率MosFET結(jié)

?杭州電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文???ＭＯＳＦＥＴ按導(dǎo)電溝道可分為Ｐ溝道和Ｎ溝道，在功率ＭＯＳＦＥＴ中，應(yīng)用最??多的是絕緣柵Ｎ溝道增強(qiáng)型。圖２．２?（ａ）是Ｎ溝道增強(qiáng)型ＭＯＳＦＥＴ的結(jié)構(gòu)圖，??圖２．２?（ｂ）為功率ＭＯＳＦＥＴ的電氣圖形符號(hào)［３１］。??Ｓ

（ａ）測(cè)試電路?（ｂ）開關(guān)過(guò)程波形??圖２．４功率ＭＯＳＦＥＴ的開關(guān)過(guò)程??功率ＭＯＳＦＥＴ特殊的晶體結(jié)構(gòu)會(huì)使其源－漏極之間形成一個(gè)寄生的反并聯(lián)二??極管，該二極管被稱為本體二極管，是功率ＭＯＳＦＥＴ的一部分。該二極管與??ＭＯＳＦＥＴ反并聯(lián)，在一些橋式電路中能夠起到續(xù)流作用，而無(wú)需外加二極管。??但該二極管的存在使得當(dāng)漏－源極存在負(fù)壓時(shí)是導(dǎo)通狀態(tài)。??１０??

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]基于CPLD的功率MOSFET保護(hù)電路設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[J]. 汶宏剛.  電子世界. 2013(24)
[2]感應(yīng)加熱電源中IGBT并聯(lián)控制方式研究[J]. 文小青,蘇玉民,禹冰,劉海燕.  電力電子技術(shù). 2009(10)
[3]基于功率MOSFET導(dǎo)通壓降的短路保護(hù)方法[J]. 王文兵.  電力電子技術(shù). 2009(08)
[4]功率MOSFET并聯(lián)驅(qū)動(dòng)特性分析[J]. 錢敏,徐鳴謙,米智楠.  半導(dǎo)體技術(shù). 2007(11)
[5]一種大電流開關(guān)型鋰電池充電電路的設(shè)計(jì)[J]. 吳聲崗,陳智發(fā).  電子工程師. 2007(10)
[6]低壓大電流直流開關(guān)電源電磁兼容設(shè)計(jì)研究[J]. 魯莉,鄒云屏,陳偉.  通信電源技術(shù). 2007(03)
[7]MOSFET隔離型高速驅(qū)動(dòng)電路[J]. 紀(jì)圣儒,朱志明,周雪珍,王琳化.  電焊機(jī). 2007(05)
[8]功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路設(shè)計(jì)與應(yīng)用[J]. 田穎,陳培紅,聶圣芳,盧青春.  電力電子技術(shù). 2005(01)
[9]分布式直流漏源過(guò)壓保護(hù)電路設(shè)計(jì)[J]. 肖艷義.  電工技術(shù). 2002(08)
[10]MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)的優(yōu)化設(shè)計(jì)[J]. 楊汝,朱紅萍.  電源世界. 2002(06)

碩士論文
[1]基于Z源逆變器的電動(dòng)汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的傳導(dǎo)電磁干擾研究[D]. 任亞博.蘭州交通大學(xué) 2018
[2]一種應(yīng)用于數(shù)字開關(guān)電源的高精度電流采樣電路設(shè)計(jì)[D]. 李可.電子科技大學(xué) 2018
[3]基于STM32的無(wú)刷直流電機(jī)控制系統(tǒng)研究[D]. 黨璇.安徽工業(yè)大學(xué) 2017
[4]MOSFET并聯(lián)驅(qū)動(dòng)技術(shù)的研究[D]. 席赫.吉林大學(xué) 2016
[5]基于STM32的電動(dòng)車控制器的研究[D]. 張俊愿.南昌航空大學(xué) 2014
[6]直流大電流測(cè)量技術(shù)研究[D]. 張正綱.華北電力大學(xué) 2014
[7]功率MOSFET的失效分析及其驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)[D]. 王毅.武漢理工大學(xué) 2014
[8]基于MOSFET低電壓大電流逆變器設(shè)計(jì)與應(yīng)用研究[D]. 潘依波.上海交通大學(xué) 2014
[9]車用低壓大電流MOSFET模塊驅(qū)動(dòng)與保護(hù)研究[D]. 熊英英.北京交通大學(xué) 2012
[10]基于ARM的直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與開發(fā)[D]. 邵慧.東北大學(xué) 2011



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