太陽(yáng)能具有取之不盡和清潔安全等優(yōu)點(diǎn),一直以來(lái)受到了廣泛關(guān)注。但是,目前光伏市場(chǎng)上主流的晶硅太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率比較低,使得光伏發(fā)電成本比較高,如何提高晶硅電池的轉(zhuǎn)換效率以降低發(fā)電成本一直是研究的重點(diǎn)。在影響晶硅電池光電轉(zhuǎn)換效率的因素中,太陽(yáng)光中短波光子的能量損失是其中十分重要的一個(gè)方面。硅的禁帶寬度是1.12eV,在吸收一個(gè)能量大于禁帶寬度的紫外/藍(lán)色光子時(shí),只需要1.12eV的能量就可以激發(fā)一個(gè)電子空穴對(duì),剩余的能量則轉(zhuǎn)換成熱,導(dǎo)致能量的損失,降低了電池的效率。另外,短波光子的表面反射率高,在硅材料內(nèi)部的穿透深度小,使得短波光子產(chǎn)生的有效電子空穴對(duì)數(shù)目較低,短波光子的能量不能被電池充分利用。光譜下轉(zhuǎn)移效應(yīng)是將高能量的短波光子轉(zhuǎn)換成低能量的長(zhǎng)波光子,是降低晶硅太陽(yáng)能電池短波光子能量損失、提高硅太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率的有效手段。論文在介紹了光譜下轉(zhuǎn)移材料的基礎(chǔ)上,選擇了在LED照明領(lǐng)域廣泛應(yīng)用的單摻鈰的釔鋁石榴石（YAG:Ce）熒光粉作為在研究中使用的光譜下轉(zhuǎn)移材料。采用高溫固相法制備了YAG:Ce熒光粉,并對(duì)其光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了表征。結(jié)果表明,所制備的熒光粉可以吸收波長(zhǎng)小于480 nm的... 

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【部分圖文】：

006-2016年太陽(yáng)能新增裝機(jī)容量中國(guó)自1958年開(kāi)始研制第一塊晶體硅太陽(yáng)能電池

圖 1.2 半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)（a）本征半導(dǎo)體；（b）n 型半導(dǎo)體；（c）p 型半導(dǎo)體體的能帶結(jié)構(gòu)。本征半導(dǎo)體、p 型半導(dǎo)體和 n 型半導(dǎo)體的能帶結(jié)為導(dǎo)帶底，VE 為價(jià)帶頂，F(xiàn)E 為本征半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)，nFE 為 n

圖 1.3 p-n 結(jié)示意圖擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)造成 p-n 結(jié)空間電荷區(qū)出現(xiàn)自建電場(chǎng)，方向是在空間電荷區(qū)所受庫(kù)侖力方向是 p 區(qū)指向 n 區(qū)�？臻g電位差DV 表示。由于 p-n 結(jié)兩邊存在不同的電位，則電

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]空間聚光太陽(yáng)電池陣技術(shù)發(fā)展概況與趨勢(shì)[J]. 馬勉軍,黃良甫.  航天器工程. 2005(01)
[2]砷化鎵太陽(yáng)電池技術(shù)的進(jìn)展與前景[J]. 張忠衛(wèi),陸劍峰,池衛(wèi)英,王亮興,陳鳴波.  上海航天. 2003(03)



本文編號(hào)：2915079