分析影響p+（nc-Si）/i（a-Si）/n（c-Si）異質(zhì)結(jié)太陽電池性能的主要因素,獲得納米硅薄膜雜質(zhì)濃度、本征層厚度以及背場對電池性能的影響規(guī)律。結(jié)果表明,當(dāng)納米硅薄膜中摻雜濃度增大時,該層大部分區(qū)域電場強(qiáng)度變大,短路電流和開路電壓增大,有利于提高電池轉(zhuǎn)換效率。優(yōu)化的摻雜濃度應(yīng)大于1×1018cm-3。當(dāng)i層厚度大于30 nm時,電池轉(zhuǎn)換效率η和電池填充因子FF急劇下降,優(yōu)化的最佳厚度為10 nm。研究加入非晶硅背場提高電池效率的新途徑,當(dāng)引入厚10 nm的a-Si∶H（n+）背面場后,電池轉(zhuǎn)換效率由21.677%提高到24.163%。 

【文章來源】：太陽能學(xué)報. 2014年09期 北大核心

【文章頁數(shù)】：7 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 器件結(jié)構(gòu)和原理分析
    1.1 器件結(jié)構(gòu)
    1.2 AMPS原理分析
        1.2.1 薄膜硅態(tài)密度分布
        1.2.2 Poisson方程和連續(xù)性方程
2 結(jié)果分析與討論
    2.1 納米硅薄膜雜質(zhì)濃度選擇
    2.2 本征層厚度的影響
    2.3 背場對電池性能的影響
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]a-Si/c-Si異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)太陽能電池設(shè)計分析[J]. 林鴻生,馬雷.  固體電子學(xué)研究與進(jìn)展. 2003(04)
[2]納米硅（nc-Si:H）晶體硅（c-Si）異質(zhì)結(jié)太陽電池的數(shù)值模擬分析[J]. 胡志華,廖顯伯,曾湘波,徐艷月,張世斌,刁宏偉,孔光臨.  物理學(xué)報. 2003(01)
[3]納米硅薄膜研究的最新進(jìn)展[J]. 彭英才,何宇亮.  稀有金屬. 1999(01)



本文編號：2913274