壓接型IGBT動(dòng)態(tài)特性測(cè)試平臺(tái)中高儲(chǔ)能密度電感的研究
【學(xué)位單位】:北京交通大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2018
【中圖分類(lèi)】:TM55
【部分圖文】:
2013年西北核技術(shù)研宄所設(shè)計(jì)出電感值533pH,通流能力15kA的Brooks電感??[3()],并申請(qǐng)了專(zhuān)利。該電感采用鋁制板材料,每層厚5mm,匝間絕緣采用聚丙烯薄??膜,整個(gè)電感器的電阻為13.8mQ。通過(guò)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)當(dāng)通過(guò)大電流時(shí),毛刺處發(fā)生強(qiáng)??點(diǎn)發(fā)射,造成層間擊穿。??2015年清華大學(xué)馬山剛等人將Brooks電感應(yīng)用于STRETCH?meat?grinder電路??[31],在給定的充放電電流以及電感條件下,編制程序以得到能量密度最高的Brooks??電感的結(jié)構(gòu)參數(shù)。同年7月,清華大學(xué)將構(gòu)成XRAM電路的多個(gè)電感定制成為相互??層疊的AFSSC結(jié)構(gòu)132],使電感線圈間具有強(qiáng)耦合作用。與原有結(jié)構(gòu)相比,在相同儲(chǔ)??能時(shí)體積更小,并計(jì)算了儲(chǔ)能密度,突出了其優(yōu)越性。2017年清華大學(xué)在設(shè)計(jì)Brooks??電感時(shí)基于AFSSC結(jié)構(gòu),通過(guò)分析給定范圍內(nèi)的線圈參數(shù),計(jì)算并尋找具有最高儲(chǔ)??能密度的電感[33]。??2016年南京理工大學(xué)設(shè)計(jì)并制作了應(yīng)用于STRETCH?meat?grinder電路的??Brooks電感,在各層間填充聚碳酸酯材料以提高絕緣強(qiáng)度[34],并對(duì)Brooks電感的內(nèi)??部磁場(chǎng)分布進(jìn)行了仿真計(jì)算。2017年在STRETCH?meat?grinder電路拓?fù)涓鲄?shù)要求??下,利用ANSYS軟件建立仿真模型進(jìn)行仿真計(jì)算,并對(duì)AFSSC單元的匝間距進(jìn)行??
圖2-1IGBT動(dòng)態(tài)特性測(cè)試原理圖a)及測(cè)試序圖b)??Fig.2-1?IGBT?dynamic?characteristics?test?principle?diagram?a)?and?test?sequence?diagram?b)??圖2-1?a)所示,雙脈沖測(cè)試電路釆用二極管箝位的感性負(fù)載電路,這是IGBT??最常見(jiàn)的應(yīng)用電路,也是常用于器件測(cè)試的通用測(cè)試電路,該測(cè)試電路需要的組件??為:直流電源Foe、充電電容C〇c、直流母線、脈沖信號(hào)發(fā)生器、柵極驅(qū)動(dòng)、被測(cè)??器件、負(fù)載電感Il〇ad。??圖2-1?b)所示為雙脈沖的測(cè)試序圖,圖中第一個(gè)柵極脈沖用于對(duì)負(fù)載電感充??電,將電流充到待測(cè)電流時(shí),IGBT關(guān)斷得到關(guān)斷電流、電壓波形;第二個(gè)柵極脈??沖信號(hào)使IGBT再次開(kāi)通得到開(kāi)通電流、電壓波形。雙脈沖信號(hào)發(fā)生器要保證r〇-/3??內(nèi)各時(shí)間段自由可調(diào),市場(chǎng)上把這種脈沖信號(hào)作為基本函數(shù)發(fā)生器的非常少,因此??我們通過(guò)可編程的DSP微處理器來(lái)產(chǎn)生雙脈沖。雙脈沖測(cè)試基本過(guò)程如下[24,3\??心/1:在ft時(shí)刻之前,母線電容被充電到需要的電壓值,此時(shí)負(fù)載電感電流幾??為0,待測(cè)IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。隨著ft時(shí)刻IGBT導(dǎo)通信號(hào)的到來(lái),母線電容開(kāi)??始對(duì)負(fù)載電感充電
a)?b)??圖2-1IGBT動(dòng)態(tài)特性測(cè)試原理圖a)及測(cè)試序圖b)??Fig.2-1?IGBT?dynamic?characteristics?test?principle?diagram?a)?and?test?sequence?diagram?b)??圖2-1?a)所示,雙脈沖測(cè)試電路釆用二極管箝位的感性負(fù)載電路,這是IGBT??最常見(jiàn)的應(yīng)用電路,也是常用于器件測(cè)試的通用測(cè)試電路,該測(cè)試電路需要的組件??為:直流電源Foe、充電電容C〇c、直流母線、脈沖信號(hào)發(fā)生器、柵極驅(qū)動(dòng)、被測(cè)??器件、負(fù)載電感Il〇ad。??圖2-1?b)所示為雙脈沖的測(cè)試序圖,圖中第一個(gè)柵極脈沖用于對(duì)負(fù)載電感充??電,將電流充到待測(cè)電流時(shí),IGBT關(guān)斷得到關(guān)斷電流、電壓波形;第二個(gè)柵極脈??沖信號(hào)使IGBT再次開(kāi)通得到開(kāi)通電流、電壓波形。雙脈沖信號(hào)發(fā)生器要保證r〇-/3??內(nèi)各時(shí)間段自由可調(diào),市場(chǎng)上把這種脈沖信號(hào)作為基本函數(shù)發(fā)生器的非常少,因此??我們通過(guò)可編程的DSP微處理器來(lái)產(chǎn)生雙脈沖。雙脈沖測(cè)試基本過(guò)程如下[24,3\??心/1:在ft時(shí)刻之前,母線電容被充電到需要的電壓值,此時(shí)負(fù)載電感電流幾??為0
【參考文獻(xiàn)】
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