和傳統(tǒng)的常壓擴散相比,低壓擴散工藝可提高方阻值、降低表面復(fù)合、降低電池片生產(chǎn)成本。熱氧化生產(chǎn)工藝中,干氧替代臭氧可提高二氧化硅膜的致密性及均勻性,并且鈍化表面態(tài),增加光生載流子的壽命。本文首先研究了低壓擴散對電池片性能的影響,采用四探針電阻測試儀測試了不同對比條件下電池片的方塊電阻,并利用控制變量法對測量數(shù)據(jù)進行分析,結(jié)果發(fā)現(xiàn)硅片中心位置的方阻值大于四周方阻值,低壓擴散通過調(diào)節(jié)各個溫區(qū)溫度可改變反應(yīng)速率,進而改變硅片方阻值,提高方阻均勻性,不均勻性由以前的14.08%降為10.14%;低壓擴散中氣體分子具有很強穿透力,使得在生產(chǎn)中各個硅片間的距離減小,從而產(chǎn)量增多,從日產(chǎn)量11.8萬片提升到日產(chǎn)量14.5萬片。紫外-可見光光度計和太陽能電池片效率測試分析發(fā)現(xiàn)低壓擴散后的硅片比常壓擴散后的硅片反射率更低,并且光電轉(zhuǎn)化效率更高,平均轉(zhuǎn)化率由之前的19.8%提高到20.35%。采用少子壽命測量儀研究了熱氧化工藝制備的二氧化硅薄膜,分析了氧化時間、氧氣的量、氮氣的量、氧化溫度等因素對鈍化膜的影響,研究發(fā)現(xiàn)壽命會隨著氧化時間、氧氣的量、氮氣的量以及氧化溫度的增加而變大,達到一個極大值后,少子壽命開始減小。
【學(xué)位單位】：內(nèi)蒙古大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位年份】：2018
【中圖分類】：TM914.41
【部分圖文】：

圖 2.1 低壓擴散原理圖Fig2.1 Schematic diagram of low pressure diffusion壓擴散原理圖。通過真空泵作用，使反應(yīng)腔體處于真空狀態(tài)，再通維持恒定的真空狀態(tài)，可以保證腔體內(nèi)磷離子濃度不變。圖 2.2 擴散通氣原理圖Fig2.2 Principle diagram of diffusion ventilation散通氣原理圖，O2直接進入石英管中起到分解源的作用；N2大

圖 2.2 擴散通氣原理圖Fig2.2 Principle diagram of diffusion ventilation散通氣原理圖，O2直接進入石英管中起到分解源的作用；N2大進入源瓶攜帶磷源進入管中。散中有恒定源擴散和限定源擴散兩種情況[9]。恒定源擴散：表面而變，并且服從余誤差函數(shù)分布[10]；限定源擴散：雜質(zhì)總量不變不斷下降，雜質(zhì)擴入硅片的深度增大，并且服從高斯函數(shù)分布。散，使磷源均勻分布在硅片表面，然后在利用限定源擴散，將磷圖為兩種擴散方式示意圖。

圖 2.3 恒定源擴散和限定源擴散原理圖ig2.3 Schematic diagram of constant source diffusion and finite source diffus可調(diào)節(jié)的工藝參數(shù)有：溫度、源流量、時間、管內(nèi)壓力等。并且變方塊電阻的范圍，方塊電阻隨溫度升高、通源量的增加而下降力提高也會使方塊電阻下降[11]。2.2 實驗方法氮氣、氧氣、磷源（POCl3），單晶硅類型：P 型硅；厚度：（：1.8-3.1 ·cm-2。
【參考文獻】

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本文編號：2848331