橋式拓?fù)溟_關(guān)變換器功率磁性元件損耗研究
【學(xué)位授予單位】:南京郵電大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號】:TM46
【圖文】:
士研究生學(xué)位論文 第二章100 ≈103電阻率會隨著溫度的升高而逐漸降低,室溫(20℃)100℃時則變?yōu)?1 m 故而溫度和頻率對磁性材料的常工作,需要控制磁芯內(nèi)的溫度在合理的范圍之內(nèi)電阻率的隨溫度以及頻率的變化使得建立一個精確下都會隨機選取一個合適的經(jīng)驗值去計算渦流損耗
全橋變換器渦流損耗與占空比的關(guān)系圖
圖 3.10 對稱死區(qū)方波激勵電壓 u2 電流 i1顯示的是對稱死區(qū)方波下磁環(huán) TX36/23/36(3F3)的原 97.5mm2,施加電壓激勵波形頻率為 100kHz,磁邊電壓 的波形,綠色波形表示原邊電流 的波形內(nèi)電流瞬時的下降,電流的下降引起了磁場強度HΔHΔBBS
【參考文獻(xiàn)】
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本文編號:2799509
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