適用于能量采集系統(tǒng)的開關(guān)電容DC-DC變換器設(shè)計與研究
發(fā)布時間:2020-05-22 11:24
【摘要】:集成電路的微型化一直是芯片設(shè)計者永恒的話題。微型系統(tǒng)由于體積小,功耗低等特點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于各種不同場合中。當(dāng)今世界,功耗是電池驅(qū)動的主要關(guān)注點(diǎn),為了延長器件的壽命,提出了一種混合電源管理系統(tǒng),使用環(huán)境中的能量,如太陽能作為能量的來源來提供給負(fù)載或者電池存儲。雖然環(huán)境中能量取之不盡,用之不竭,但通常都是不穩(wěn)定的,而且瞬時功率有限。因而為了有效利用環(huán)境中能量,必須建立有效的電源管理電路。本論文的主要工作是設(shè)計一種適用于能量收集的開關(guān)電容直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器,且轉(zhuǎn)換器能夠在輸入信號較低時仍然有較高的功率轉(zhuǎn)換效率(PCE,Power Conversion Efficiency)。本文主要研究工作如下:首先,由于光伏陣列獲取的能量通常會呈現(xiàn)出非線性、不穩(wěn)定性,而傳統(tǒng)的最大功率跟蹤方法都是基于整數(shù)階系統(tǒng),無法有效解決非線性問題。因而為了跟蹤最大功率點(diǎn)輸出最大功率,研究了分?jǐn)?shù)階極值搜索最大功率點(diǎn)方法,有效地提高了系統(tǒng)的魯棒性和整體的收斂性,減少了功率損失,提高了光伏陣列的轉(zhuǎn)化效率。其次,環(huán)境中能量收集的不確定性、收集到的能量通常輸出電壓低且不夠穩(wěn)定,無法應(yīng)用于電子電路。因此,DC-DC變換器變得格外重要。針對理想型電荷泵進(jìn)行了分析,對設(shè)計策略進(jìn)行了優(yōu)化,分析了 Dickson電荷泵和柵交叉耦合電荷泵的損耗,提出了帶有小電感的改進(jìn)型Dickson電荷泵和高增益四相時鐘柵交叉耦合電荷泵,通過數(shù)學(xué)分析和仿真驗(yàn)證其可行性。最后,鑒于在低壓應(yīng)用中,傳統(tǒng)電荷泵電路的輸出特性比較差,最終適用于能量收集的開關(guān)電容電路采用了高增益四相時鐘交叉耦合電荷泵,通過四相時鐘交錯控制電路,改進(jìn)了 MOS管柵極的驅(qū)動策略,消除產(chǎn)生的反向電荷,減小了輸出電壓的波動,使得輸出電壓、功率轉(zhuǎn)化效率、負(fù)載能力都得到進(jìn)一步提高。整個電路設(shè)計采用TSMC 0.18um CMOS工藝,電路不需要額外的相移電路且柵源和漏源之間不超過輸入電壓。
【圖文】:
能量收集系統(tǒng)電路包括:能量獲取單元、電荷泵電路、控制電路,為特定應(yīng)逡逑用設(shè)計的最優(yōu)能量收集電路需要權(quán)衡整體電路的各項(xiàng)性能指標(biāo)。能量收集系統(tǒng)框逡逑圖如圖1.1所示。逡逑「S緬義系繾酉低沖義弦庸庹斟危⒁唬蓿掊義希埽埽苠五五澹輳義希澹氐縟藎洌悖洌惚溴危駑澹蓿潁斟義蟧,雄逦稽S鰲危迱奬b逡逑光伏陣列邐 ̄逡逑能量存儲逡逑圖1.1能量收集系統(tǒng)框圖逡逑在能量收集系統(tǒng)中,能量獲取單元中環(huán)境中的能量獲取技術(shù)成為了研宄的熱逡逑2逡逑
術(shù)在低電源電壓下MOSFET工作機(jī)理是非常重要的。逡逑2.1.1邐MOS管工作原理逡逑如圖2.1所示n型溝道MOS管。在理想條件下,圖中MOS管的體端B和逡逑源端S接地,即FfK^OV,給漏端施加一個小的正電壓Fd。逡逑邐?邐L/逡逑圖2.邋IN型溝道MOS管逡逑柵端電壓Fg=0時,,襯底將源漏兩級阻斷,MOS管相當(dāng)于兩個PN結(jié),彼此逡逑不聯(lián)系,即使有正向電壓6的作用,源級和漏級之間也只有微小的PN結(jié)反向逡逑6逡逑
【學(xué)位授予單位】:湘潭大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號】:TM46
本文編號:2675923
【圖文】:
能量收集系統(tǒng)電路包括:能量獲取單元、電荷泵電路、控制電路,為特定應(yīng)逡逑用設(shè)計的最優(yōu)能量收集電路需要權(quán)衡整體電路的各項(xiàng)性能指標(biāo)。能量收集系統(tǒng)框逡逑圖如圖1.1所示。逡逑「S緬義系繾酉低沖義弦庸庹斟危⒁唬蓿掊義希埽埽苠五五澹輳義希澹氐縟藎洌悖洌惚溴危駑澹蓿潁斟義蟧,雄逦稽S鰲危迱奬b逡逑光伏陣列邐 ̄逡逑能量存儲逡逑圖1.1能量收集系統(tǒng)框圖逡逑在能量收集系統(tǒng)中,能量獲取單元中環(huán)境中的能量獲取技術(shù)成為了研宄的熱逡逑2逡逑
術(shù)在低電源電壓下MOSFET工作機(jī)理是非常重要的。逡逑2.1.1邐MOS管工作原理逡逑如圖2.1所示n型溝道MOS管。在理想條件下,圖中MOS管的體端B和逡逑源端S接地,即FfK^OV,給漏端施加一個小的正電壓Fd。逡逑邐?邐L/逡逑圖2.邋IN型溝道MOS管逡逑柵端電壓Fg=0時,,襯底將源漏兩級阻斷,MOS管相當(dāng)于兩個PN結(jié),彼此逡逑不聯(lián)系,即使有正向電壓6的作用,源級和漏級之間也只有微小的PN結(jié)反向逡逑6逡逑
【學(xué)位授予單位】:湘潭大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號】:TM46
【參考文獻(xiàn)】
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2 劉邦銀;段善旭;劉飛;徐鵬威;;基于改進(jìn)擾動觀察法的光伏陣列最大功率點(diǎn)跟蹤[J];電工技術(shù)學(xué)報;2009年06期
3 周林;武劍;栗秋華;郭珂;;光伏陣列最大功率點(diǎn)跟蹤控制方法綜述[J];高電壓技術(shù);2008年06期
4 余世杰,何慧若,曹仁賢;光伏水泵系統(tǒng)中 CVT 及 MPPT 的控制比較[J];太陽能學(xué)報;1998年04期
本文編號:2675923
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