【摘要】：隨著電子產(chǎn)品逐漸向便攜式以及多功能的方向發(fā)展,低壓差線性穩(wěn)壓器由于其尺寸小、噪聲低、電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單以及成本低等優(yōu)點(diǎn),則在電源管理芯片中占有重要地位。而SoC技術(shù)和IP復(fù)用對(duì)于芯片集成度的要求相對(duì)來說較高,所以如何能夠去掉LDO中片外大電容來提高芯片集成度也受到了很多的關(guān)注和研究。因此無片外電容LDO的研究是極具現(xiàn)實(shí)意義的。本文旨在研發(fā)一款負(fù)載變化范圍較寬并具有較好的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)特性的無片外電容LDO。其輸入電壓范圍為3~5V,輸出電流范圍0~100mA,輸出電壓為2.8V,本文討論和分析了無片外電容LDO穩(wěn)定性和瞬態(tài)響應(yīng)問題,介紹了目前無片外電容LDO的穩(wěn)定性設(shè)計(jì)技術(shù)和瞬態(tài)響應(yīng)改善技術(shù)。在此基礎(chǔ)上,提出了本設(shè)計(jì)優(yōu)化方案,主要是采用嵌套式米勒補(bǔ)償進(jìn)行穩(wěn)定性設(shè)計(jì),通過添加擺率增強(qiáng)電路來優(yōu)化瞬態(tài)響應(yīng)。基于CSMC 0.5μm N阱工藝,完成了電路設(shè)計(jì)與仿真。最后得到的仿真結(jié)果為:最小壓降VDROP小于200mV;靜態(tài)電流IQ大約為60μA;線性調(diào)整率LR約為0.073%;負(fù)載調(diào)整率LDR約為0.03%;負(fù)載電流發(fā)生變化時(shí)過沖電壓不超過150mV。
【學(xué)位授予單位】：華中科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：TM44

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本文編號(hào)：2541830