【摘要】：薄膜太陽(yáng)能電池在不同偏壓下的量子效率(QE)會(huì)呈現(xiàn)非常不一樣的結(jié)果.對(duì)不同波長(zhǎng)范圍內(nèi)偏壓量子效率的分析可以研究薄膜太陽(yáng)能電池窗口層區(qū)域雜質(zhì)補(bǔ)償情況、主結(jié)勢(shì)壘高低、背勢(shì)壘高度等,還可以得出耗盡區(qū)寬度以及少子擴(kuò)散長(zhǎng)度等重要參數(shù).通過(guò)實(shí)驗(yàn)測(cè)量與理論分析,給出了薄膜太陽(yáng)能電池耗盡區(qū)寬度(W)和少子擴(kuò)散長(zhǎng)度(Ln)與偏壓量子效率的關(guān)系,提出了一種新的擬合耗盡區(qū)寬度(W)和少子擴(kuò)散長(zhǎng)度(Ln)的方法,探討了偏壓量子效率測(cè)試在薄膜太陽(yáng)能電池特性分析中的應(yīng)用.
[Abstract]:The quantum efficiency (QE) of thin film solar cells under different bias voltage will show very different results. The analysis of bias quantum efficiency in different wavelength ranges can be used to study the impurity compensation in the window layer of thin film solar cells, the height of the main junction barrier, the height of the back barrier, etc., and the important parameters such as the width of the depletion region and the length of minority carrier diffusion can also be obtained. Through experimental measurement and theoretical analysis, the relationship between depletion region width (W) and minority carrier diffusion length (Ln) and bias quantum efficiency of thin film solar cells is given. A new method for fitting depletion region width (W) and minority carrier diffusion length (Ln) is proposed, and the application of bias quantum efficiency test in characteristic analysis of thin film solar cells is discussed.
【作者單位】： 華東師范大學(xué)極化材料與器件教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;上海太陽(yáng)能電池研究與發(fā)展中心;中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所紅外物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：中國(guó)科學(xué)院知識(shí)創(chuàng)新工程重要方向項(xiàng)目(KGCX2-YW--8) 上海市2012年度“科技創(chuàng)新行動(dòng)計(jì)劃”節(jié)能減排領(lǐng)域項(xiàng)目(12dz1201000)~~
【分類(lèi)號(hào)】：TM914.42

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本文編號(hào)：2517166